类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：75 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：75 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4 V
　　集电极电流（IC）：1.5 A
　　功率耗散（PD）：25 W
　　直流电流增益（hFE）：40 - 250 @ IC = 500 mA
　　过渡频率（fT）：175 MHz
　　工作结温（Tj）：-65°C ~ +200°C
　　封装形式：TO-126

BGY85晶体管的一个显著特性是其在高频条件下的优异放大能力，这主要得益于其高达175MHz的过渡频率（fT），使得该器件能够有效用于甚高频（VHF）和部分特高频（UHF）应用。在实际使用中，它可以在30MHz至300MHz的频率范围内提供稳定的增益表现，因此被广泛应用于FM广播发射器、对讲机、无线麦克风系统以及其他小型射频发射模块中。该晶体管的增益带宽积较高，且在中等偏置电流下表现出良好的线性度，有助于减少信号失真，提升系统整体信噪比。
　　另一个重要特性是其热稳定性与功率处理能力。BGY85的最大集电极电流可达1.5A，最大功耗为25W，配合适当的散热片可在连续波（CW）或脉冲模式下长时间运行。其热阻较低，有利于热量从芯片传导至外部环境，从而防止因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该器件的击穿电压参数（如VCEO=75V）表明其具备较强的耐压能力，适合在12V至30V的典型射频电源系统中使用，兼容大多数通用供电架构。
　　从制造工艺角度看，BGY85采用硅平面外延技术，确保了器件参数的一致性和长期可靠性。其结构经过优化，减少了寄生电容和电阻效应，提升了高频响应速度。同时，TO-126封装不仅成本低廉、易于安装，而且提供了良好的机械强度和电气隔离性能，便于在印刷电路板上进行焊接与布局。尽管现代射频设计越来越多地采用表面贴装型晶体管或多层集成电路，但BGY85因其可替换性强、资料丰富、价格低廉，在教育实验、业余无线电爱好者项目以及老旧设备维修中仍然保有不可替代的地位。

BGY85广泛应用于各类中等功率射频放大电路中，尤其常见于工作频率在几十兆赫兹到几百兆赫兹之间的发射机前端或末级功率放大器（PA）阶段。例如，在调频广播发射器中，BGY85常被用作末级推动管，将前级激励信号放大至数瓦级别的输出功率，以驱动天线辐射电磁波。同样，在无线麦克风、遥控设备和短距离通信系统中，该晶体管也承担着关键的信号增强功能，确保信号能够有效覆盖目标区域。
　　除了民用通信设备，BGY85还曾被用于一些工业控制与测量仪器中的本地振荡器缓冲放大器或调制级放大器。在这些应用中，其良好的增益特性和稳定性有助于维持系统频率精度和输出一致性。此外，由于其具备一定的抗干扰能力和温度适应范围，该器件也被集成在某些恶劣环境下的远程传感装置中，用于增强微弱信号的发送能力。
　　在教育与科研领域，BGY85因其引脚清晰、参数公开、使用简单而成为电子工程教学实验中常用的高频晶体管范例。学生可通过搭建共发射极放大电路来学习射频放大原理、阻抗匹配技术以及稳定性补偿方法。同时，由于其数据手册信息完整，工程师也可将其作为仿真模型验证的基础元件，辅助新设计方案的开发与调试。虽然随着技术进步，更高频率、更低噪声的新型晶体管不断涌现，但在预算有限或对性能要求不极端的应用场景中，BGY85依然是一种实用且可靠的选择。