INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
额定功率:39 W
通道数:1
针脚数:3
漏源极电阻:0.21 Ω
极性:N-CH
耗散功率:48 W
阈值电压:4 V
漏源极电压(Vds):100 V
漏源击穿电压:100 V
连续漏极电流(Ids):9.4A
上升时间:23 ns
输入电容(Ciss):330pF @25V(Vds)
额定功率(Max):48 W
下降时间:23 ns
工作温度(Max):175 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):48W (Tc)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:TO-252-3
长度:6.5 mm
宽度:6.22 mm
高度:2.3 mm
工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ)