时间：2022/10/11 11:00:18
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INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
额定功率：39 W
通道数：1
针脚数：3
漏源极电阻：0.21 Ω
极性：N-CH
耗散功率：48 W
阈值电压：4 V
漏源极电压(Vds)：100 V
漏源击穿电压：100 V
连续漏极电流(Ids)：9.4A
上升时间：23 ns
输入电容(Ciss)：330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)：48 W
下降时间：23 ns
工作温度(Max)：175 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：48W (Tc)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
长度：6.5 mm
宽度：6.22 mm
高度：2.3 mm
工作温度：-55℃ ~ 175℃ (TJ)
