时间：2025/7/10 2:06:42
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BGH75N120HF1 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件采用 OptiMOS 5 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于工业、汽车及可再生能源领域的功率转换应用。其封装形式为 PQFN3x3-14L 封装，能够有效减少寄生电感并提高散热性能。
该型号的电压等级为 120V，适用于中等电压范围的应用场景。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：75A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：38nC（典型值）
反向恢复时间：6ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PQFN3x3-14L
BGH75N120HF1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下提供更高的效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，从而减小无源元件的尺寸并降低系统成本。
3. 高温工作能力，允许在恶劣环境下使用。
4. 内置 ESD 保护功能，提升可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保汽车级应用中的稳定性和耐用性。
6. 优化的热性能设计，便于高效散热。
这些特点使得 BGH75N120HF1 成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
BGH75N120HF1 广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动与电源管理系统。
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器和开关电源。
3. 可再生能源系统中的光伏逆变器和储能装置。
4. 各类消费电子产品的同步整流和负载开关功能。
5. 通信基站中的功率管理模块。
由于其高效的性能和广泛的电压/电流适应范围，这款器件几乎可以满足所有需要高效率和快速响应的应用需求。
BGH150N120HF1
BGH100N120HZ
IPP120N10S9L
IRLB8749PbF
