类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

BGC30DH具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高电流应用中，这种低Rds(on)特性有助于减少发热，提高可靠性。
　　其次，该器件具有高电流承载能力，连续漏极电流可达120A，适用于高功率密度设计。同时，其短路耐受能力较强，适合在负载波动较大的环境中使用。
　　此外，BGC30DH采用TO-252封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热并维持稳定工作温度。该封装也便于安装和焊接，适合自动化生产流程。
　　该MOSFET还具备良好的栅极稳定性，栅极电荷低，可实现快速开关操作，从而降低开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　最后，BGC30DH具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境条件，包括工业控制、汽车电子和通信设备。

BGC30DH适用于多种高功率和高频应用场合。在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供稳定的电压调节。此外，BGC30DH也适用于电机驱动电路，能够承受高电流脉冲，确保电机运行平稳可靠。在负载开关和电源管理模块中，其快速开关特性和低导通损耗有助于实现节能设计。由于其高可靠性和紧凑封装，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。

BSC090N03LS、BSC120N03MS、IRF1324S、SiR178DP、NTMFS5C428N