BGA2712,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的射频(RF)放大器芯片,属于BGA(球栅阵列)封装系列。该器件专为高性能射频应用设计,广泛用于无线通信系统中,如基站、无线接入网络和工业控制设备。这款放大器具备良好的线性度和高增益特性,能够在高频范围内稳定工作,是一款适用于多频段和多标准应用的通用型射频前端解决方案。
工作频率:800 MHz - 2.7 GHz
增益:约15 dB(典型值)
输出功率:+20 dBm(典型值)
工作电压:3.3V - 5V 可调
电流消耗:约60 mA
封装类型:BGA2712(2712个焊球)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
BGA2712,115 射频放大器具备出色的高频性能和良好的热稳定性,能够在较宽的频率范围内(800 MHz至2.7 GHz)提供稳定的增益表现。其采用先进的硅工艺制造,具备优异的线性度和低噪声系数,适用于需要高保真信号放大的应用场景。
该器件采用BGA封装形式,具备较高的集成度和优良的散热性能,有助于提高系统可靠性和长期稳定性。此外,BGA2712,115 的封装设计也有助于减少高频信号路径中的寄生效应,从而提升整体射频性能。
在功耗方面,该放大器支持3.3V至5V的宽电压输入,具有较低的电流消耗(典型值约60 mA),非常适合对功耗敏感的应用场景。同时,其工作温度范围宽(-40°C至+85°C),可满足工业级和通信设备的严苛环境要求。
该芯片还具备良好的抗干扰能力,能够有效抑制外部噪声和杂散信号的影响,确保系统的稳定运行。其设计适用于多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE等,因此被广泛应用于现代无线基础设施中。
BGA2712,115 主要用于各种射频和微波通信系统中,包括但不限于无线基站、无线接入点、工业控制设备、测试测量仪器、广播设备和军事通信设备。由于其频率范围广泛、增益稳定且具备良好的线性度,它也适用于多频段或多标准无线系统中的射频前端模块。此外,该芯片还可用于物联网(IoT)设备、远程通信模块以及需要高性能射频放大功能的嵌入式系统中。
BGA2712,118、BGA2709、BGA2711