类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：32 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功率耗散（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 300 @ IC = 10 mA
　　过渡频率（fT）：7 GHz
　　噪声系数（NF）：1.1 dB @ f = 1 GHz
　　封装：SOT-416 (SC-75)
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　集电极-基极电压（VCBO）：32 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2 V
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.4 V @ IC = 50 mA, IB = 5 mA
　　增益带宽积：7 GHz

BFX89晶体管的核心优势在于其卓越的高频性能表现，这主要得益于其高达7 GHz的过渡频率（fT），使得该器件能够在GHz级别的射频信号下依然保持良好的电流增益和线性度。这一特性使其非常适合用于UHF、L波段乃至S波段的射频放大电路中，尤其是在需要宽带放大的应用场景下表现出色。其低噪声系数（典型值1.1 dB @ 1 GHz）确保了在弱信号接收前端使用时不会显著劣化系统的信噪比，因此非常适合作为低噪声放大器的第一级增益元件。
　　该器件的直流电流增益（hFE）在典型工作条件下可达100至300之间，具有良好的一致性与稳定性，有助于简化偏置电路的设计并提升整体电路的可靠性。同时，BFX89具备较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关或动态负载变化的应用中能有效减少功耗和发热问题。其最大集电极电流为100 mA，支持中等功率的射频输出需求，在驱动后续射频级或混频器时表现出良好的驱动能力。
　　SOT-416封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2 mm × 1.25 mm × 0.95 mm），便于实现高密度贴片组装，而且具有较短的引线长度，减少了寄生电感和电容的影响，进一步提升了高频工作的稳定性。该封装还具备良好的热传导性能，结合适当的PCB布局设计，可有效将热量传导至地平面，避免局部过热导致性能下降或器件损坏。
　　BFX89的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级、汽车级甚至部分军用级电子系统。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，增强了在生产装配过程中的鲁棒性。综合来看，BFX89凭借其高频、低噪、小封装和高可靠性的特点，成为众多射频模拟电路设计师青睐的选择。

BFX89主要应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适用于需要低噪声放大和高增益特性的场景。典型应用包括无线通信接收机中的低噪声放大器（LNA），用于增强微弱的射频输入信号，如在GSM、DCS、PCS、WLAN（如Wi-Fi 2.4 GHz）等频段下的前端接收模块。由于其在1 GHz附近仍能保持优异的噪声性能和增益水平，因此也广泛用于电视调谐器、卫星接收设备和有线电视（CATV）分配系统中的宽带放大电路。
　　此外，BFX89还可作为射频缓冲放大器使用，隔离前后级电路以防止相互影响，提升系统稳定性。在混频器之前或之后作为驱动放大器，能够有效提高混频效率并降低本振泄漏风险。它也适用于小型蜂窝基站、中继器和室内分布系统中的信号调理电路。
　　由于其SOT-416封装的小型化特性，BFX89特别适合空间受限的便携式或手持式通信设备，例如移动终端测试仪器、无线传感器节点和物联网（IoT）网关设备。在这些应用中，不仅要求高性能，还需要兼顾功耗与尺寸限制，而BFX89正好满足这些综合需求。
　　在研发和教育领域，BFX89也常被用于射频电路实验平台和学生项目中，作为学习高频晶体管行为和匹配网络设计的理想器件。其数据手册资料齐全，应用电路示例丰富，便于工程师快速完成原型开发与验证。

BFR92A
　　MPSH10
　　2SC3356
　　BFP740F