类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：最小100（典型值可达300）
　　特征频率（fT）：6 GHz
　　过渡频率（Transition Frequency）：6 GHz
　　噪声系数（NF）：0.7 dB @ 1 GHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

BFX85晶体管具备出色的高频响应能力，其特征频率（fT）高达6 GHz，使其能够在高达数GHz的频率范围内保持良好的增益性能，非常适合用于UHF和L波段的射频放大电路。该器件的低噪声系数（典型值为0.7 dB @ 1 GHz）确保了在低噪声放大器（LNA）设计中能够有效提升接收系统的信噪比，从而增强整体灵敏度。这种低噪声与高增益的结合使得BFX85成为无线通信前端模块的理想选择，尤其是在需要高保真信号放大的场合。
　　该晶体管采用稳定的硅外延平面工艺制造，具有良好的参数一致性与温度稳定性。即使在较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C）内，其电气特性仍能保持稳定，适用于严苛环境下的工业与汽车应用。BFX85的直流电流增益（hFE）通常在100到300之间，具有较高的增益且离散性小，有助于简化电路设计并减少调试难度。
　　SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，而且具有较低的寄生电感和电容，有利于高频信号的传输与阻抗匹配。此外，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造要求。BFX85还具备一定的过载承受能力，其最大集电极电流可达100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，能够在中小功率射频应用中提供可靠的性能保障。
　　由于其良好的线性度和较低的互调失真，BFX85也可用于射频混频器或缓冲级电路中，作为驱动级放大器使用。总体而言，BFX85凭借其高频性能、低噪声、高增益和紧凑封装，在无线基础设施、GPS接收机、ISM频段设备、CATV模块及便携式通信设备中得到了广泛应用。

BFX85广泛应用于各类高频和射频电子系统中，主要用作小信号放大器，特别是在需要高增益和低噪声性能的场合。常见应用包括蜂窝通信基站的前置放大器、无线局域网（WLAN）设备中的射频放大级、蓝牙和Wi-Fi模块的信号链路设计。此外，它也被用于卫星导航系统如GPS、GLONASS等接收机前端，以增强微弱信号的可检测性。
　　在广播与电视信号处理领域，BFX85可用于UHF调谐器和有线电视（CATV）分配系统中的宽带放大器设计，因其宽频带响应和良好线性度而备受青睐。同时，该器件适用于各种工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如遥控装置、无线传感器网络节点和短距离无线通信系统。
　　汽车电子方面，BFX85可用于车载通信模块、胎压监测系统（TPMS）接收器以及远程无钥匙进入系统（RKE）中的射频信号放大单元。由于其工作温度范围宽且可靠性高，能够适应车内复杂电磁环境和极端温度变化。
　　此外，BFX85还可用于测试测量仪器中的高频信号调理电路，如频谱分析仪、信号发生器的内部增益级设计。在业余无线电设备和个人通信终端中，该晶体管也常被选作关键的射频放大元件。总的来说，凡是涉及数百MHz至数GHz频率范围内的小信号放大需求，BFX85都是一个可靠且高效的选择。

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　　 "BFR92A",
　　 "BFG67",
　　 "2SC3356",
　　 "MRF5711",
　　 "NE85633"
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