类型：N沟道耗尽型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：500mA
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值6.5Ω（VGS = 0V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值-0.5V至-3V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　截止频率（ft）：典型值100MHz

BFW10作为一款N沟道耗尽型MOSFET，在实际应用中展现出多项优异的技术特性。首先，其耗尽型特性意味着在栅极电压为零时，器件已经处于导通状态，这种“常通”行为使其非常适合用于模拟开关电路中，尤其是在需要默认接通路径的场合。例如，在音频信号切换或多路复用系统中，BFW10可以在无控制信号时保持信号通路畅通，从而避免信号中断或失真。当施加负的栅源电压时，器件逐渐进入截止状态，实现对电流的有效关断，这一特性使得它可以用作电控开关，通过简单的电压控制来调节信号通断。
　　其次，BFW10具有较低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为6.5Ω，这意味着在导通状态下，器件引入的压降和功率损耗非常小，有助于提高系统的能效并减少发热问题。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长设备的续航时间。同时，低导通电阻也有助于保持信号完整性，特别是在传输微弱模拟信号时，能够最大限度地减少信号衰减。
　　此外，BFW10具备较高的截止频率（ft），典型值可达100MHz，表明其在高频环境下仍能保持良好的开关响应能力。这使得该器件不仅适用于音频频率范围内的信号切换，还能胜任部分射频应用，如VHF频段的信号路由。其快速的开关速度确保了信号切换过程中的延迟极小，不会引入明显的相位失真或群延迟。
　　该器件采用SOT-23封装，尺寸紧凑，便于在高密度印刷电路板上布局，符合现代电子产品小型化的发展趋势。同时，SOT-23封装具备良好的热稳定性和机械可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应从消费类电子到工业控制等多种应用场景。BFW10还具有高输入阻抗特性，栅极几乎不吸取电流，因此对驱动电路的要求很低，可以直接由逻辑门或微控制器输出引脚驱动，无需额外的缓冲或驱动电路。
　　最后，BFW10具备良好的温度稳定性，其电气参数随温度变化较小，确保在不同环境条件下都能维持一致的性能表现。综上所述，BFW10凭借其耗尽型结构、低导通电阻、高频率响应、小封装和高可靠性，成为模拟开关和信号控制领域中的一款经典器件。

BFW10主要应用于需要高性能模拟信号切换和控制的电子系统中。常见应用包括音频信号路由开关，例如在音响设备、耳机放大器或多通道音频选择器中，利用其常通特性和低失真特性实现无缝音频通道切换。此外，它也广泛用于射频（RF）信号开关电路，如无线通信模块中的天线切换、收发通道选择等，得益于其高达100MHz的截止频率和低寄生参数，能够在VHF频段内有效工作。在测试与测量仪器中，BFW10可用于自动增益控制（AGC）电路或可编程衰减器，通过调节栅极电压来动态控制信号幅度。它还可作为采样保持电路中的开关元件，因其快速响应和低电荷注入特性，有助于提高采样精度。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BFW10用于电源管理或传感器信号路径切换，发挥其低功耗和小尺寸的优势。此外，在工业控制系统、数据采集系统和多路复用器设计中，BFW10也常被用作模拟多路开关的核心元件，实现多个传感器或信号源的轮流接入。由于其高输入阻抗和低驱动需求，BFW10可以直接由数字逻辑电路驱动，简化系统设计。总体而言，BFW10适用于任何需要高效、低失真、快速响应的模拟开关功能的场合。

BF245A
　　BF245B
　　BF245C
　　2N3819
　　J310