类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功耗（PD）：35W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　晶体管配置：单路

BFV14-8L 具有以下显著特性：
　　首先，该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，适用于高电流应用，如 DC-DC 转换器和电池管理系统。
　　其次，BFV14-8L 采用了先进的沟槽栅技术，提升了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关场合，如开关电源（SMPS）和同步整流电路。
　　此外，该器件的热阻较低，能够在较高的工作温度下稳定运行，具备良好的热稳定性，适合在恶劣环境下使用，如工业控制系统和电动工具。
　　BFV14-8L 还具备较强的短路耐受能力，可在一定程度上承受瞬态过载，提高了系统的可靠性。
　　最后，TO-220AB 封装形式便于安装和散热设计，适合通过 PCB 板进行焊接安装，广泛应用于各类电子设备中。

BFV14-8L 被广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效、高电流开关能力的场合。例如，在电源管理系统中，BFV14-8L 常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池充电电路中，以实现高效的能量传输和管理。
　　在电机控制领域，BFV14-8L 可作为 H 桥驱动电路中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转和调速，适用于电动工具、自动门控系统和机器人控制等应用。
　　此外，该器件也适用于 LED 驱动电路、逆变器和不间断电源（UPS）系统中，作为主开关或同步整流元件，提升整体效率。
　　由于其良好的热稳定性和抗过载能力，BFV14-8L 还常用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中，如电源适配器、智能电表和家用电器控制模块。

IRFZ44N, STP12NM60ND, FDPF6N60