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SD1143-01 发布时间 时间:2025/7/23 1:05:52 查看 阅读:8

SD1143-01 是一款由 Sanken(三垦)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于各种电源管理和功率转换设备中。这款 MOSFET 以其高效率、低导通电阻和高可靠性而著称,适用于需要高效能和稳定性的应用场合。

参数

类型: N 沟道
  最大漏源电压(Vds): 60V
  最大栅源电压(Vgs): ±20V
  最大漏极电流(Id): 150A
  导通电阻(Rds(on)): 2.5mΩ
  功率耗散(Pd): 250W
  工作温度范围: -55°C 至 175°C

特性

SD1143-01 具备一系列优异的电气特性和物理特性,使其在功率 MOSFET 领域中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为 2.5mΩ,使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体效率。这在高功率应用中尤为重要,因为较低的 Rds(on) 可以减少发热,提高系统的稳定性和寿命。
  其次,该器件的最大漏源电压为 60V,最大漏极电流可达 150A,这使得它能够承受较高的电压和电流应力,适用于需要高功率处理能力的场合。此外,SD1143-01 的栅源电压范围为 ±20V,确保了在各种工作条件下栅极控制的可靠性。
  其功率耗散能力为 250W,能够在高负载条件下保持稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 175°C,使得该 MOSFET 能够在极端环境条件下正常工作,适应各种恶劣的应用环境。此外,SD1143-01 的封装设计也经过优化,便于散热和安装,进一步提高了其热稳定性和机械可靠性。

应用

SD1143-01 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于 DC-DC 转换器、电源管理系统、马达控制器、电池充电器和电源开关等。其高效率和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计的理想选择,尤其适用于需要高效能和稳定性的应用场合,如工业自动化设备、汽车电子系统和可再生能源系统。
  在 DC-DC 转换器中,SD1143-01 可用于升压或降压拓扑结构,提供高效的能量转换。在电源管理系统中,该器件可以作为主开关或负载开关,实现对电源的精确控制。在马达控制器中,SD1143-01 能够提供高电流输出,确保马达运行的平稳性和响应性。此外,在电池充电器和电源开关应用中,其高耐压和大电流能力使其能够处理高功率需求,同时保持较低的功率损耗。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF1405, FDP33N06

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SD1143-01参数

  • 制造商TriQuint
  • 产品种类射频放大器
  • 零件号别名1063878