类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

BFV14-8C 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现突出。首先，其导通电阻较低，能够有效降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其次，该器件的栅极阈值电压范围适中（2V 至 4V），兼容多种常见的逻辑电平驱动电路，如 TTL 或 CMOS 控制器，便于集成到各种控制系统中。
　　此外，BFV14-8C 的最大漏源电压为 100V，最大漏极电流可达 8A，具备良好的负载能力，适用于中等功率的开关应用。其 TO-220 封装具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有较快的开关速度，适用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、PWM 控制电机驱动等。此外，其 ±20V 的最大栅极电压允许使用较高的驱动电压以进一步降低导通电阻，同时具备良好的抗过压能力，增强了系统的可靠性。
　　在热稳定性方面，BFV14-8C 的工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），适用于各种严苛环境下的应用，包括工业控制、汽车电子及户外设备等。

BFV14-8C 主要应用于需要中等功率控制的电路中。常见的应用场景包括：电源管理系统中的开关元件、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动电路、LED 驱动器、继电器或电磁阀的驱动控制、工业自动化设备中的功率开关等。
　　在电机控制应用中，BFV14-8C 可用于 H 桥电路中，实现对直流电机的正反转控制及调速功能。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电机运行效率并降低温升。
　　在电源管理领域，BFV14-8C 可用于同步整流、负载开关或电压调节模块中，提高电源转换效率。其快速开关特性也使其适用于高频 PWM 控制系统。
　　此外，该器件也常用于各类嵌入式系统中，作为由微控制器驱动的功率开关，用于控制加热元件、风扇、LED 灯组等负载设备。

IRFZ44N, STP8NK50Z, FDPF8N50, BFV14-8