BFV14-10L 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电子电路中。该器件采用了先进的平面条形 DMOS 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用。BFV14-10L 采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力,适用于中高功率应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):11A
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
BFV14-10L MOSFET 具有多个关键特性,使其在多种功率电子应用中表现出色。
首先,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),典型值为 0.045Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。在高电流应用中,低 Rds(on) 可以减少功率损耗,从而减少热量产生,提高系统可靠性。
其次,BFV14-10L 支持高达 100V 的漏源电压(Vds)和 ±20V 的栅源电压(Vgs),使其适用于中高电压系统,例如汽车电子、工业控制和电源管理系统。此外,该器件的连续漏极电流可达 11A,能够满足多种中功率负载的需求。
该 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,能够在较高工作温度下稳定运行,且易于安装在散热片上以进一步提高热管理能力。TO-220 是一种广泛使用的功率封装形式,适用于多种 PCB 设计。
BFV14-10L 还具备快速开关特性,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高动态响应速度。这使得它非常适合用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
此外,该器件具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,在异常工作条件下仍能保持一定的稳定性和安全性,适用于工业和汽车环境中的严苛应用。
BFV14-10L 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
在电源管理系统中,BFV14-10L 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和稳压器电路。其低导通电阻和良好的热性能使其在高效率电源转换系统中表现出色。
在工业控制和自动化系统中,该 MOSFET 可用于电机驱动、继电器替代、LED 驱动和传感器控制电路。其高电流承载能力和快速开关特性使其适用于需要高响应速度的控制系统。
在汽车电子领域,BFV14-10L 被广泛用于车载充电系统、车灯控制、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统(BMS)。由于其工作温度范围宽,适合在车辆的严苛环境中使用。
此外,该器件也可用于消费类电子产品中的电源管理模块,如笔记本电脑电源适配器、智能家电和便携式设备中的 DC-DC 转换器。
在可再生能源系统中,BFV14-10L 可用于太阳能逆变器、储能系统和微型逆变器中的功率开关,支持高效能量转换。
IRFZ44N, STP10NK10Z, FDPF10N10L, BFV14-10