时间：2025/7/10 1:40:10
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FQD24N08TM是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通损耗的应用场景，广泛用于直流电机驱动、电源管理、负载切换以及逆变器等场合。
此MOSFET的额定电压为80V，连续漏极电流高达24A（在特定条件下），具有较低的导通电阻，能够有效降低系统能耗并提升整体效率。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：24A
导通电阻：6.5mΩ（典型值）
总功耗：175W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 低导通电阻设计有助于减少传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力使其在瞬态条件下具备更强的可靠性。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，并且适合高频应用。
4. 具备热保护功能，防止过温导致器件损坏。
5. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
6. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装与使用。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池保护电路
5. 汽车电子设备中的负载开关
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 太阳能逆变器及UPS系统中的功率级开关
IRFZ44N, FQP27P06, PSMN2R0-30YL
