类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：1.8 A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：7 A
　　导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ（@ Vgs = 10 V）
　　导通电阻（Rds(on)）：60 mΩ（@ Vgs = 4.5 V）
　　阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：350 pF（@ Vds = 15 V）
　　开关时间：开启时间约8 ns，关断时间约15 ns
　　功耗（Ptot）：1 W
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23

BFT67的核心优势在于其在低电压环境下表现出卓越的开关效率与导通性能。该MOSFET采用英飞凌成熟的沟槽栅极技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提升系统能效。在Vgs为10V时，其典型Rds(on)仅为45mΩ，而在常见的逻辑电平驱动电压4.5V下仍可保持60mΩ的低阻状态，这使得它非常适合用于电池供电设备中对能耗敏感的应用。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容意味着驱动电路所需的能量更少，进一步提升了整体系统的动态响应速度与效率。
　　器件的开关特性极为出色，开启时间约为8ns，关断时间约15ns，在高频开关应用中能够有效减少开关损耗，提高电源转换频率上限。这对于现代高密度电源设计尤为重要，例如在同步整流型DC-DC变换器中，快速且对称的开关行为有助于降低交叉导通风险，提升转换效率。同时，BFT67具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在严苛环境条件下仍能稳定运行。
　　封装方面，BFT67采用SOT-23小型化表面贴装封装，不仅体积小巧、便于自动化贴片生产，而且具有良好的散热性能。这种封装适合高密度PCB布局，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式电子产品中。此外，该器件还内置了一定程度的ESD保护机制，增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。总体而言，BFT67凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为中低端功率开关应用中的优选方案之一。

BFT67主要应用于需要高效、小型化功率开关的各类电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如手机、智能手表、蓝牙耳机等设备内的负载开关或电源路径控制。在这些应用场景中，BFT67用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或电源切换功能。此外，它也广泛用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，特别是在非隔离式 buck 或 boost 拓扑结构中作为低边开关使用，利用其低导通电阻特性来减少传导损耗，提高转换效率。
　　在工业控制领域，BFT67可用于驱动小型继电器、LED指示灯、传感器模块或其他低功率执行机构，实现微控制器对负载的精确控制。由于其具备较快的开关速度和良好的热稳定性，也可用于脉宽调制（PWM）控制的电机驱动电路中，适用于微型直流电机或步进电机的相位切换控制。另外，在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电回路的通断控制，配合保护IC实现过流、过压等异常情况下的快速切断功能。
　　通信设备中同样存在大量适用场景，例如在射频模块或接口电路中用作信号通路的开关元件，或者在PoE（Power over Ethernet）终端设备中进行电源接入管理。得益于其SOT-23小封装特性，BFT67特别适合空间受限的设计，能够满足现代电子产品向轻薄化、高集成度发展的趋势。无论是作为主开关还是辅助开关元件，BFT67都能提供稳定可靠的性能表现，是中小功率开关应用的理想选择。

FDS6670A