类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：50 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：170 mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：700 mA
　　功耗（Ptot）：250 mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值 8 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 3 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 0.5 pF
　　跨导（|gfs|）：典型值 200 mS
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：典型值 1.1 V，最大值 2.0 V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：最大值 5 Ω @ Vgs = 10 V
　　开关时间（开启/关闭）：典型值分别为 5 ns / 10 ns

BFS93具备出色的高频响应能力和低输入电容，使其非常适合用于高频小信号放大和高速开关应用。其输入电容（Ciss）仅为8pF左右，输出电容（Coss）约3pF，这种低寄生电容特性显著减少了高频信号下的功率损耗和相位延迟，从而提高了整个系统的频率响应带宽。此外，反向传输电容（Crss）低至0.5pF，有效降低了栅极到漏极之间的反馈效应，提升了器件在射频应用中的稳定性与增益一致性。
　　该器件具有较高的跨导（gfs），典型值可达200mS，这意味着即使在较小的栅极电压变化下也能产生较大的漏极电流变化，增强了信号放大能力。这对于需要高灵敏度和快速响应的小信号处理电路尤为重要。同时，BFS93的开启阈值电压较低，通常在1.1V左右，使其能够兼容3.3V或更低逻辑电平的驱动信号，适用于现代低电压数字控制系统。
　　在开关性能方面，BFS93表现出极短的开关时间，开启时间约为5ns，关闭时间约10ns，这一特性使其能够在高速数字开关电路中实现快速状态切换，减少过渡过程中的能量损耗，提高系统效率。结合其最大170mA的连续漏极电流能力，适用于驱动轻负载或作为多级放大器的前置级使用。
　　热稳定性和可靠性也是BFS93的重要优势之一。器件可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应严苛的环境条件。其封装设计具有良好的散热性能，并且内部集成了一定程度的静电放电（ESD）保护机制，提升了在自动化装配和现场使用中的耐用性。整体来看，BFS93是一款集高频、低功耗、高可靠性和小尺寸于一体的高性能小信号MOSFET，适用于对空间和性能均有较高要求的应用场景。

BFS93广泛应用于需要高频响应和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括射频（RF）前端模块中的信号开关与放大，如在无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi收发器和物联网（IoT）节点中作为天线切换开关或低噪声放大器（LNA）的有源元件。由于其低输入电容和高跨导特性，能够在GHz以下频段内实现高效信号处理，确保通信链路的稳定性和灵敏度。
　　在便携式消费电子产品中，BFS93常被用于电源管理相关的信号切换电路，例如电池供电设备中的负载开关、电源路径控制或传感器使能电路。其低阈值电压和微安级的栅极驱动电流需求，使其非常适合由微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了系统设计并节省了PCB空间。
　　此外，BFS93也适用于精密模拟开关、音频信号路由、测试测量仪器中的通道选择电路等场合。在这些应用中，器件的低导通电阻和快速响应能力有助于减少信号失真和延迟，提升整体系统精度。工业控制和自动化系统中，BFS93可用于隔离数字控制信号与执行单元之间的接口电路，提供可靠的电平转换和噪声抑制功能。
　　由于其小型表面贴装封装（如SOT-23），BFS93特别适合高密度布局的印刷电路板设计，广泛用于智能手机、可穿戴设备、无线耳机、智能家居传感器等紧凑型电子产品中。总之，BFS93凭借其优异的电气性能和紧凑的物理尺寸，成为现代电子系统中小信号MOSFET应用的理想选择之一。

BSS138
　　2N7002
　　IRLML5103
　　FDV301N
　　MMBF5484