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BFS81 发布时间 时间:2025/9/2 22:30:22 查看 阅读:28

BFS81是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的高频N沟道增强型MOSFET晶体管,主要用于射频(RF)和高频放大器应用。这款器件设计用于在88 MHz至108 MHz的调频(FM)广播频段内工作,适用于低噪声放大器(LNA)、混频器和其他高频信号处理电路。BFS81采用SOT-143封装,具有优异的高频性能和热稳定性,使其成为无线通信和广播接收设备中的常用元件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  封装类型:SOT-143
  工作频率范围:88 MHz至108 MHz
  最大漏极电流(ID):100 mA
  最大漏极电压(VDSS):20 V
  最大栅极电压(VGSS):±20 V
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  输入电容(Ciss):3.5 pF(典型值)
  输出电容(Coss):1.3 pF(典型值)
  跨导(Gm):300 mS(典型值)
  噪声系数(NF):1.5 dB(典型值)
  增益(|S21|^2):18 dB(典型值)

特性

BFS81是一款专为高频应用优化的MOSFET器件,其具备低噪声系数和高增益特性,使其在FM广播频段内的低噪声放大器(LNA)设计中表现出色。该器件在100 MHz频率下的噪声系数典型值为1.5 dB,确保了在接收端的信号清晰度和灵敏度。此外,BFS81具有良好的线性度和高跨导,能够在小信号条件下提供稳定且高效的放大性能。
  BFS81的封装形式为SOT-143,体积小巧,便于集成到高密度PCB布局中。同时,其热稳定性良好,在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能。由于其低功耗特性,BFS81非常适合用于便携式通信设备、FM接收器和无线数据传输系统。
  该器件还具备良好的输入和输出阻抗匹配特性,简化了射频电路的设计和实现过程。此外,BFS81的高可靠性和长使用寿命使其在工业和消费类电子产品中广泛应用。

应用

BFS81广泛应用于调频广播接收器中的低噪声放大器(LNA),用于增强微弱的RF信号。它也常用于无线通信设备、无线麦克风系统、射频前端模块以及FM/AM收音机中的混频器和振荡器电路。此外,该器件还适用于各种高频信号处理和放大应用,如遥控装置、数据传输模块和小型无线接收装置。

替代型号

BFQ67、BFQ68、BFG21、BFS27、BFQ69

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