时间：2025/8/1 19:11:36
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BFR720L3RH 是由英飞凌（Infineon Technologies）生产的一款NPN型高频双极性晶体管（BJT），专为射频（RF）和微波应用设计。该器件采用了先进的SiGe（硅锗）技术，具备高性能和高可靠性，适用于各种高频放大器和混频器电路。
晶体管类型：NPN型双极性晶体管（BJT）
技术：SiGe（硅锗）
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：5 V
最大频率（fT）：20 GHz
封装类型：SOT-343
工作温度范围：-55°C 至 150°C
增益（hFE）：100 @ Ic=50mA, Vce=3V
噪声系数：0.85 dB @ 2 GHz
功耗（Ptot）：200 mW
BFR720L3RH 是一款专为高频应用设计的晶体管，具有出色的射频性能和稳定性。其主要特性包括高截止频率（fT）达到20 GHz，使其非常适合用于高频放大器和混频器电路。此外，该器件的噪声系数低至0.85 dB，在2 GHz频率下表现出色，能够有效降低信号噪声，提高系统整体性能。
该晶体管采用SOT-343小型封装，节省空间并适合高密度PCB布局。其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保在极端环境下仍能稳定运行。BFR720L3RH的增益（hFE）为100，在Ic=50mA和Vce=3V条件下表现出良好的线性度和稳定性，适用于各种高频放大应用。
BFR720L3RH 主要用于射频（RF）和微波通信系统中的高频放大器、混频器和振荡器设计。其低噪声系数和高频率响应使其非常适合用于无线通信设备，如基站、无线接入点和卫星通信系统。此外，该晶体管也可用于测试和测量设备中的信号放大和处理电路。
BFR720, BFR740, BFP720
