类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　直流电流增益（hFE）：最小100（典型值250）@ IC = 10 mA
　　过渡频率（fT）：7 GHz
　　功率耗散（Ptot）：250 mW
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23
　　集电极-基极电压（VCB）：50 V
　　发射极-基极电压（VEB）：5 V
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.3 V @ IC = 10 mA, IB = 1 mA
　　噪声系数（NF）：0.8 dB @ 1 GHz
　　增益带宽积：7 GHz

BFQ34T晶体管具备出色的高频性能，其过渡频率高达7 GHz，使其非常适合用于GHz级别的射频放大与信号处理应用。该器件在1 GHz频率下具有极低的噪声系数（典型值为0.8 dB），这使得它在低噪声放大器（LNA）设计中表现优异，能够有效提升接收系统的信噪比和灵敏度。其NPN结构提供了良好的线性度和增益稳定性，在小信号放大电路中可实现高保真信号还原。BFQ34T的直流电流增益（hFE）通常可达250，在10 mA工作电流下保持较高且稳定的放大能力，适用于需要精确增益控制的模拟电路。
　　该晶体管采用了先进的硅外延基极制造工艺，提升了载流子迁移速率并降低了寄生电容，从而增强了高频响应能力。同时，SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，有助于在高频率工作状态下及时散热，防止因温升导致性能下降或器件损坏。其最大集电极电流为100 mA，功率耗散为250 mW，足以应对大多数中等功率射频应用的需求。此外，BFQ34T在VHF（30–300 MHz）和UHF（300 MHz–3 GHz）频段内均表现出平坦的增益响应和较低的失真水平，适用于宽带放大器设计。
　　该器件还具备良好的开关特性，基极-发射极开启电压较低，有利于快速导通与关断，适用于高速开关和调制电路。其电气参数在整个工业温度范围内（-55°C 至 +150°C）保持稳定，确保在极端环境下仍能可靠运行。BFQ34T符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，可用于汽车电子中的射频模块，如遥控门锁、TPMS胎压监测系统等。综合来看，BFQ34T凭借其高频、低噪、高增益和小尺寸等优势，成为现代高频模拟电路设计中的优选三极管之一。

BFQ34T主要应用于高频和射频电子系统中，尤其适合作为低噪声放大器（LNA）用于无线接收前端，例如在FM收音机、对讲机、无线麦克风、蓝牙模块和Wi-Fi射频前端中提升微弱信号的信噪比。其高增益和低噪声特性也使其广泛用于蜂窝通信设备的UHF频段信号放大，如GSM、LTE和NB-IoT模块中的小信号预放大电路。此外，该晶体管可用于振荡器电路设计，作为本地振荡信号源的一部分，提供稳定的高频输出。在混频器和调制解调电路中，BFQ34T可用于信号转换阶段的小信号放大，确保信号完整性。
　　由于其良好的线性度和频率响应，BFQ34T也可用于射频识别（RFID）读写器、无线传感器网络节点和远程控制装置中的射频信号处理单元。在测试测量仪器中，如频谱分析仪或信号发生器的前置放大级，该器件有助于提高系统灵敏度。此外，BFQ34T还可用于有线电视（CATV）系统中的宽带放大器设计，支持多频道信号的同时传输而不产生明显失真。在汽车电子领域，它可用于遥控无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）以及车载无线充电模块中的射频信号调理电路。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大批量消费类电子产品制造。总体而言，BFQ34T适用于所有需要高频率、低噪声和紧凑布局的模拟与射频应用场景。

[
　　 "BFR92A",
　　 "BFP740",
　　 "MMBT3904",
　　 "2SC3356",
　　 "MPSH10"
　　]