类型：NPN 晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集射极电压（Vceo）：50 V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：4 V
　　最大集电极功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 300（典型值150）
　　过渡频率（fT）：6 GHz
　　噪声系数（NF）：1.2 dB @ 1 GHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BFQ222晶体管的核心优势在于其卓越的高频性能表现。其过渡频率（fT）高达6 GHz，意味着该器件可以在GHz级别的射频信号下依然保持较高的电流增益，适用于高频小信号放大场景。这一特性使得BFQ222非常适合用于现代无线通信系统中的射频前端设计，尤其是在1 GHz至3 GHz频段内表现出色。
　　该器件的噪声系数在1 GHz时仅为1.2 dB，表明其具有非常低的内部噪声水平，能够有效提升接收链路的信噪比，特别适合作为低噪声放大器（LNA）使用。这对于提高无线接收机的灵敏度至关重要，尤其在弱信号环境下能显著改善系统性能。
　　BFQ222采用NPN结构并基于先进的外延基极技术制造，这种工艺不仅提升了载流子迁移效率，还增强了器件的热稳定性和长期可靠性。其直流电流增益（hFE）范围为70至300，在典型工作条件下可达到150左右，提供了良好的增益一致性与线性响应，有助于简化偏置电路设计。
　　该晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集射极电压为50 V，能够在较低的供电电压下实现高效的射频放大功能，同时具备足够的电压裕量以应对瞬态波动。其250 mW的总功耗能力配合SOT-23小型封装，实现了高性能与紧凑尺寸的平衡，非常适合空间受限的便携式设备应用。
　　此外，BFQ222的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，展示了其在极端环境下的稳定运行能力，可用于工业、汽车及户外通信设备等对可靠性要求较高的场合。综合来看，BFQ222凭借其高频响应、低噪声、高增益和良好热稳定性，成为射频模拟电路设计中的一款关键元件。

BFQ222主要应用于高频和射频电子系统中，特别是在需要高增益和低噪声特性的信号放大环节。它广泛用于无线通信基础设施中的射频前端模块，如蜂窝基站、中继器和室内分布系统，作为低噪声放大器（LNA）来增强接收到的微弱射频信号。
　　在消费类电子产品方面，BFQ222常见于Wi-Fi路由器、蓝牙模块、ZigBee收发器以及物联网（IoT）设备中，用于2.4 GHz ISM频段的小信号放大。其6 GHz的过渡频率使其能够覆盖802.11b/g/n无线局域网标准所需的频率范围，并提供良好的线性度和稳定性。
　　此外，该器件也适用于GSM、DCS、PCS和UMTS移动通信系统的射频功率放大链路中的驱动级放大器，帮助主功率放大器更高效地工作。由于其SOT-23封装体积小、重量轻，因此非常适合手机、平板电脑和其他便携式无线终端设备的设计需求。
　　在测试与测量仪器领域，BFQ222可用于构建宽带射频放大器或缓冲器电路，用于信号调理和阻抗匹配。其稳定的增益特性和低失真性能有助于提高测试系统的精度和动态范围。
　　工业控制、远程监控系统以及无线传感器网络中也常采用BFQ222进行射频信号处理。总之，只要涉及UHF到微波频段的模拟信号放大任务，BFQ222都是一种可靠且高效的解决方案。

BFR92A
　　MMBT918
　　PMBF918