时间：2025/8/1 19:12:47
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BFP740FH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高频双极型射频晶体管（RF BJT），主要面向高性能射频和微波频率范围内的低噪声放大器（LNA）应用。该器件采用先进的SiGe（硅锗）技术制造，具有优异的高频性能和低噪声特性。BFP740FH6327XTSA1 封装在SOT-343（SC-70）封装中，适用于紧凑型高频电路设计，例如无线基础设施、测试设备和射频接收器等。
晶体管类型：双极型射频晶体管（NPN）
材料：SiGe
封装类型：SOT-343（SC-70）
最大工作频率：10 GHz
增益（@1 GHz）：约18 dB
噪声系数（@1 GHz）：约0.85 dB
集电极-发射极电压（Vce）：最大5 V
集电极电流（Ic）：最大50 mA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
输入/输出阻抗：50 Ω
BFP740FH6327XTSA1 拥有出色的射频性能，特别是在低噪声放大方面表现出色。该器件在1 GHz频率下的噪声系数仅为0.85 dB，使其成为低噪声放大器（LNA）设计的理想选择。此外，它在高频范围内保持良好的增益稳定性，例如在1 GHz时增益约为18 dB，并且在更高频率下仍能保持较高的增益值。其SiGe工艺使其具有优异的线性度和稳定性，适用于高精度射频接收器和高灵敏度测试设备。BFP740FH6327XTSA1 的SOT-343封装体积小巧，有助于实现高密度电路布局，并具有良好的热管理和可靠性，适合在工业级温度范围内运行。此外，该器件的输入和输出阻抗匹配为50 Ω，简化了与射频前端电路的集成，减少了额外匹配电路的需求。
BFP740FH6327XTSA1 主要应用于射频和微波频段的低噪声放大器（LNA）设计，适用于无线通信基础设施，例如基站接收器、卫星通信系统、无线传感器网络和测试测量设备。此外，该器件也广泛用于需要高灵敏度和低噪声性能的射频接收器前端，例如在雷达系统、微波链路和广播接收器中。由于其良好的高频性能和小型化封装，BFP740FH6327XTSA1 也适用于便携式和高密度射频模块设计，例如软件定义无线电（SDR）设备和射频识别（RFID）读写器。
BFP740FHXUMA1, BFP720FH6327XTSA1, BFG520LSE
