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BFGE1-252R+ 发布时间 时间:2025/12/28 13:52:37 查看 阅读:11

BFGE1-252R+ 是一款由 Broadcom(原 Avago Technologies)生产的高性能射频二极管,属于其广泛射频和微波产品线的一部分。该器件专为高频率应用设计,适用于需要低插入损耗、高隔离度以及快速开关时间的场景。BFGE1-252R+ 属于 PIN 二极管类别,具有优异的线性性能和功率处理能力,能够在宽频率范围内稳定工作。该器件采用表面贴装封装技术,体积小巧,适合高密度 PCB 布局,广泛应用于无线通信系统、雷达系统、测试与测量设备以及射频前端模块中。由于其优良的 RF 性能和可靠性,BFGE1-252R+ 被许多射频工程师选作关键信号路径中的开关或衰减元件。此外,该器件符合 RoHS 指令要求,支持无铅焊接工艺,适用于现代环保型电子产品制造流程。其封装形式有助于良好的热管理和高频信号完整性,确保在复杂电磁环境中仍能保持稳定性能。

参数

型号:BFGE1-252R+
  制造商:Broadcom (Avago)
  二极管类型:PIN 二极管
  最大反向电压:100 V
  最大正向电流:100 mA
  串联电阻(Rs):0.6 Ω
  结电容(Cj):0.3 pF @ 5V
  截止频率(fT):约 40 GHz
  封装类型:SC-79(SOD-523)
  安装类型:表面贴装(SMT)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  热阻抗(Junction-to-Ambient):350°C/W
  功率耗散:100 mW

特性

BFGE1-252R+ 作为一款高性能的 PIN 二极管,在射频和微波电路中展现出卓越的技术特性。首先,其低串联电阻(典型值为 0.6 Ω)显著降低了信号通路中的插入损耗,使得该器件非常适合用于高效率的射频开关设计。低 Rs 不仅提升了系统的整体增益,还减少了因电阻发热导致的信号失真问题,从而增强了系统的稳定性与可靠性。其次,该器件具备极低的结电容(在 5V 反偏下仅为 0.3 pF),这使其能够在高达数十 GHz 的频率范围内有效工作,适用于毫米波通信、5G 射频前端以及高频测试设备等前沿应用场景。
  另一个重要特性是其出色的隔离性能。当二极管处于反向偏置状态时,能够提供非常高的阻抗,从而实现良好的信号隔离效果,防止不必要的串扰和信号泄漏。这一特性对于多通道射频系统或需要精确控制信号路径的应用至关重要。此外,BFGE1-252R+ 具有快速的开关响应时间,得益于其优化的载流子寿命设计,能够在纳秒级别内完成导通与截止状态之间的切换,满足高速调制和脉冲应用的需求。
  该器件还表现出优异的功率处理能力,在连续波(CW)和脉冲操作模式下均能稳定运行。其最大正向电流可达 100 mA,最大反向耐压为 100 V,能够在较高功率条件下可靠工作而不发生击穿或性能退化。同时,工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,使其适用于极端环境下的工业、航空航天及军事用途。SC-79(SOD-523)小型化封装不仅节省 PCB 空间,而且具有良好的高频匹配特性,便于集成到紧凑型模块中。综合来看,BFGE1-252R+ 凭借其低损耗、高频率兼容性、快速响应和高可靠性,成为现代射频系统中不可或缺的关键元件之一。

应用

BFGE1-252R+ 主要应用于高频和射频电子系统中,尤其适合作为射频开关、可变衰减器、调制解调电路以及天线调谐模块的核心组件。在无线通信基础设施中,如基站收发信机(BTS)、微波回传链路和 5G 毫米波设备中,该器件被广泛用于实现信号路径的选择与控制,确保不同频段之间的高效切换。此外,在测试与测量仪器领域,例如矢量网络分析仪(VNA)和频谱分析仪中,BFGE1-252R+ 被用于构建高精度的射频信号路由网络,以保证测量结果的准确性与重复性。
  在雷达与电子战系统中,该 PIN 二极管因其快速开关能力和高功率承受性能,常用于脉冲调制器和 TR(发射/接收)开关电路中,帮助系统在发射与接收状态之间迅速切换,提升探测灵敏度与响应速度。同时,它也被用于卫星通信终端和航空航天电子设备中,承担射频信号调理任务,在恶劣环境下依然保持稳定的电气性能。消费类电子产品中,尽管使用较少,但在高端智能手机和平板电脑的天线阻抗匹配网络中也有潜在应用,尤其是在支持多频段 LTE 或 Wi-Fi 6E 的设备中,用于动态调整天线性能以优化信号接收质量。总之,BFGE1-252R+ 凭借其宽频带适应性、小尺寸和高可靠性,已成为现代射频工程中的关键无源器件之一,服务于从民用通信到国防科技的多个重要领域。

替代型号

AFBR-5803PZ

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