类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20 V
　　最大漏极电流（Id）：150 mA
　　最大功耗（Ptot）：500 mW
　　增益（|h21|）：典型值 14 dB @ 1 GHz
　　截止频率（fT）：典型值 6 GHz
　　输入电容（Ciss）：典型值 1.3 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 0.3 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 0.07 pF
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±10 V
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-343 (SC-89)

BFG11W/X在高频射频应用中展现出卓越的电气特性，尤其适用于1 GHz以下至UHF频段的低噪声放大与驱动级设计。
　　首先，该器件具有出色的增益性能，在典型工作条件下（如Vds = 12 V, Id = 50 mA），其小信号电流增益|h21|可达14 dB左右，确保了在有限的偏置功耗下实现高效的信号放大能力。这一特性使其非常适合用于接收链路中的第一级放大器，有助于提升整个系统的信噪比和灵敏度。
　　其次，BFG11W/X具备非常低的输入和输出寄生电容（Ciss ≈ 1.3 pF, Coss ≈ 0.3 pF），这显著降低了器件在高频下的容性负载效应，从而提升了阻抗匹配的灵活性，并减少了外部匹配网络的复杂性。低Crss（反向传输电容）也意味着更强的输入-输出隔离能力，有助于抑制反馈振荡，提高电路稳定性。
　　再者，该MOSFET拥有高达6 GHz的过渡频率（fT），表明其具备优秀的高频响应能力，能够在GHz级别频率范围内保持良好的增益平坦度，适用于宽带射频放大器设计。
　　此外，BFG11W/X采用了优化的晶圆工艺和封装结构，使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达+150°C，结合仅500 mW的功耗限制，允许在紧凑空间内进行可靠部署。
　　最后，该器件内置一定的栅极电阻以抑制寄生振荡，同时增强了对静电放电（ESD）的耐受能力，提升了现场使用的鲁棒性。综合这些特点，BFG11W/X成为高性能、小型化射频模块中不可或缺的关键元件之一。

BFG11W/X主要应用于各类高频模拟和射频电子系统中，尤其是在需要高增益、低噪声和良好线性度的场合。
　　它常被用作无线通信基站的前级低噪声放大器（LNA），用于增强微弱接收到的射频信号，同时尽可能减少自身引入的噪声干扰，这对于提高接收机的整体性能至关重要。
　　此外，该器件也广泛用于UHF/VHF频段的电视广播发射设备、双向无线电通信系统（如对讲机、集群通信）、业余无线电设备以及CATV（有线电视）信号分配系统中的驱动放大级。
　　在工业、科学和医疗（ISM）频段的应用中，BFG11W/X可用于构建小型化射频激励源，例如RFID读写器、感应加热控制器或等离子体发生器的信号驱动单元。
　　由于其SOT-343封装体积小巧且支持表面贴装工艺，因此特别适合集成在高密度印刷电路板上，适用于便携式通信终端、微型中继器和远程传感器节点等空间受限的设计。
　　同时，得益于其良好的温度稳定性和长期可靠性，BFG11W/X也可部署于户外环境或工业环境中运行的设备中，能够在较宽的温度范围和恶劣电磁环境下持续稳定工作。
　　总之，无论是作为低噪声放大器、缓冲器还是射频驱动级，BFG11W/X都能提供一致且可预测的性能表现，是众多射频设计师信赖的选择。

BFG11W
　　BFG11W/215