时间：2025/7/22 11:52:44
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BF991-T是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双栅极MOS场效应晶体管（Dual-Gate MOSFET），专为高频应用设计。该器件具有两个独立的栅极，能够实现对射频信号的高效控制，广泛用于射频放大器、混频器和调制解调器等电路中。BF991-T采用小型化表面贴装封装，适用于需要高频率性能和紧凑布局的现代电子设备。
类型：双栅极MOSFET
封装类型：SOT-143
最大漏源电压（Vds）：10V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：100mA
工作温度范围：-55°C至+150°C
频率范围：适用于高达500MHz的应用
增益：典型值20dB
噪声系数：典型值2.5dB
BF991-T的核心特性在于其双栅极结构，允许对射频信号进行独立控制，从而实现优异的线性度和动态范围。这种结构使得第一栅极用于控制增益，而第二栅极则用于偏置设置或频率选择，提高了电路的灵活性和性能。
该器件采用了先进的硅栅极MOS工艺，具有较低的噪声系数和高跨导，适用于低噪声放大器（LNA）的设计。其高输入阻抗特性有助于减少信号源的负载效应，提高整体电路的稳定性。
此外，BF991-T的封装设计优化了高频性能，减小了寄生电容和电感，使得在高频段（如VHF和UHF）的应用中表现出色。该器件还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于各种恶劣环境下的电子系统。
BF991-T主要应用于高频电子系统，包括射频接收器前端的低噪声放大器、射频混频器、调制解调器以及射频控制电路。它也常用于无线通信设备、广播接收器、测试仪器和工业控制系统等需要高效射频信号处理的场合。由于其紧凑的封装和优异的高频性能，BF991-T在便携式通信设备和嵌入式射频模块中也得到了广泛应用。
BF998, BF992
