类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：100 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：400 mA
　　功耗（Ptot）：250 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 1.5 V（范围一般为1.0 V ~ 2.5 V）
　　跨导（gm）：典型值 200 mS
　　输入电容（Ciss）：典型值 6 pF @ VDS = 10 V, f = 1 MHz
　　输出电容（Coss）：典型值 1.5 pF @ VDS = 10 V, f = 1 MHz
　　反向传输电容（Crss）：典型值 0.15 pF @ VDS = 10 V, f = 1 MHz
　　截止频率（fT）：典型值 1.7 GHz
　　封装类型：SOT-523 (SC-74)

BF981具备出色的高频响应能力和低噪声性能，这主要得益于其优化的沟道设计和先进的制造工艺。其输入电容Ciss仅为约6pF，输出电容Coss约为1.5pF，使得器件在UHF频段内仍能保持较高的增益和稳定性，适用于高达1GHz以上的射频放大电路。低反向传输电容Crss（0.15pF）有效减少了输出对输入的反馈，提高了电路的隔离度和稳定性，尤其适合用于高频小信号放大器设计。
　　该器件的跨导gm高达200mS，表明其具有较强的信号放大能力，能够在微弱信号条件下实现有效的电压到电流转换。同时，其阈值电压VGS(th)在1.0V至2.5V之间，适中的开启电压使其易于与常见的逻辑电平或偏置电路匹配，便于集成于低电压供电系统中，例如3.3V或5V电源环境下的射频前端设计。
　　BF981采用SOT-523超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.1mm），极大节省了PCB布局空间，特别适用于手机、无线模块、可穿戴设备等对体积敏感的应用场景。该封装还具备良好的热传导性能，配合合理的PCB布局可有效散热，确保长期运行的可靠性。
　　由于是电压控制型器件，BF981具有极高的输入阻抗，几乎不吸取输入驱动电流，从而降低了前级电路的负载压力，提升了整体系统的能效。此外，其开关速度快，可用于高速开关应用，如射频开关或调制解调电路中的信号通断控制。
　　在环境适应性方面，BF981支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境下稳定工作，增强了产品的环境耐受力。同时，器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，适用于自动化大规模生产。

BF981广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适用于需要低噪声、高增益和小尺寸解决方案的场合。常见应用包括手持式无线通信设备中的低噪声放大器（LNA），用于接收链路中增强微弱射频信号，提高信噪比和接收灵敏度。在蓝牙模块、Wi-Fi射频前端、ZigBee和Sub-GHz无线收发器中，BF981常被用作小信号放大器或有源混频器的核心元件，凭借其高跨导和低寄生电容实现高效的信号处理。
　　此外，该器件也适用于射频开关电路，在天线切换或多频段选择中发挥关键作用。由于其快速的开关响应和低导通电阻特性，能够实现高频信号路径的高效切换，减少插入损耗和信号失真。在振荡器电路中，BF981可用于构建压控振荡器（VCO）或缓冲放大器，提供稳定的频率输出和足够的驱动能力。
　　在物联网（IoT）传感器节点、远程遥控装置、智能家居设备等低功耗无线终端中，BF981因其低静态功耗和高效率而备受青睐。它可以在电池供电条件下长时间运行，延长设备使用寿命。同时，由于其封装小巧，便于集成在高密度PCB设计中，满足现代电子产品微型化趋势的需求。
　　在测试与测量仪器领域，BF981也被用于构建高频探头或前置放大电路，以提升仪器对高频信号的捕捉能力。教育科研机构在进行射频电路教学实验时，也常选用BF981作为基础元件，帮助学生理解MOSFET在高频应用中的行为特性。总之，BF981是一款多功能、高性能的射频MOSFET，适用于广泛的模拟和射频电子设计场景。

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　　 "BSS138",
　　 "2N7002",
　　 "MCH3414",
　　 "DMG2305U",
　　 "FDC6322C"
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