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STD16N50M2 发布时间 时间:2025/7/23 0:00:57 查看 阅读:2

STD16N50M2是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等。STD16N50M2采用了先进的MESH OVERLAY?技术,提供了优异的导通和开关性能平衡。该MOSFET具有高击穿电压(500V)和较大的连续漏极电流(ID)能力,使其适用于中高功率的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):500V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大连续漏极电流(ID)@25°C:16A
  导通电阻(RDS(on)):0.28Ω @ VGS=10V
  最大功耗(PD):40W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STD16N50M2的主要特性之一是其卓越的导通和开关损耗平衡,这对于提高电源系统的整体效率至关重要。该器件采用MESH OVERLAY?技术,使得导通电阻显著降低,同时保持较低的开关损耗。此外,该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力,确保在瞬态过电压条件下仍能稳定运行。
  另一个显著特点是其高可靠性。STD16N50M2具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。该器件还具有较强的抗短路能力,能够在短时间内的过载或短路情况下保护自身不受损坏,从而提高整个系统的稳定性。
  该MOSFET的栅极驱动特性也较为理想。其栅极电荷(Qg)较低,使得驱动电路的设计更加简单,并减少了驱动损耗。此外,±30V的栅源电压耐受能力提供了更宽的使用范围,适应不同的驱动电路设计需求。
  在封装方面,STD16N50M2通常采用TO-220或D2PAK等标准功率封装形式,便于散热和安装。这些封装形式具有良好的热管理和机械稳定性,适用于各种工业和消费类应用。

应用

STD16N50M2广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在开关电源(SMPS)领域。其高耐压能力和较低的导通电阻使其成为AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源拓扑中的理想选择。在这些应用中,该MOSFET能够有效降低功率损耗,提高转换效率,并在高负载条件下保持稳定运行。
  此外,该器件适用于电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动器和步进电机控制器。在这些应用中,STD16N50M2的高电流能力和快速开关特性有助于实现高效的电机控制,提升系统响应速度和稳定性。
  照明系统也是该MOSFET的一个重要应用领域,特别是在LED驱动和电子镇流器中。由于其高效率和良好的热性能,该器件能够在高亮度LED照明系统中提供可靠的功率控制,确保长期稳定运行。
  除此之外,该MOSFET还可用于电池管理系统、逆变器、不间断电源(UPS)以及其他需要高效率功率转换的场合。

替代型号

STF16N50M2, FDP16N50, IRFBC40, STD18N50M2

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STD16N50M2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥15.42000剪切带(CT)2,500 : ¥7.04988卷带(TR)
  • 系列MDmesh?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)280 毫欧 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)710 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63