BF910N60 时间：2025/9/14 5:21:09 阅读：3

BF910N60 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率转换应用，如电源供应器、马达控制、DC-DC 转换器、逆变器和照明系统等。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）与高耐压能力（600V），在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗和良好的热稳定性。BF910N60 通常采用 TO-220 或 D2PAK 封装形式，适合各种工业和消费类电子设备的使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.45Ω
　　功率耗散（PD）：64W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220 / D2PAK

特性

BF910N60 的核心优势在于其出色的导通性能和高频开关能力。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具有高达 600V 的漏源耐压能力，使其适用于高电压输入环境，如通用电源适配器、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。BF910N60 还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，并具有较强的抗瞬态电压和电流冲击的能力。该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，实现了更小的芯片面积和更高的电流密度，同时具备良好的开关特性和低门极电荷（Qg），有助于降低开关损耗并提升系统响应速度。
　　另一个重要特性是 BF910N60 的栅极驱动兼容性，其栅源电压范围为 ±20V，适用于常见的 10V 或 12V 驱动电路，与大多数 PWM 控制器或驱动 IC 能够良好配合。此外，该器件的短路耐受能力较强，有助于提升系统的可靠性和容错能力。BF910N60 的封装设计也便于散热，如 TO-220 和 D2PAK 封装均具备良好的热传导性能，可通过散热片或 PCB 布局优化散热效果。

应用

BF910N60 广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。例如，在电源供应器中，它可作为主开关器件用于 AC-DC 或 DC-DC 转换阶段，提供高效能的功率转换。在照明系统中，BF910N60 可用于高频镇流器或 LED 驱动电路，实现节能与高亮度控制。此外，该 MOSFET 也适用于马达控制、逆变器、不间断电源（UPS）、充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。由于其具备良好的热性能和开关效率，BF910N60 也常用于消费类电子产品，如智能家电、电动工具和节能灯具等。无论是在工业级应用还是消费类产品中，BF910N60 都能提供稳定、高效的功率控制性能。