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AOD409 发布时间 时间:2025/6/14 9:27:47 查看 阅读:5

AOD409是一款N通道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种功率转换和开关电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域的应用。
  该器件采用TO-252封装形式,能够承受较高的漏源电压,并在较低的栅极驱动电压下实现高效的开关性能。

参数

漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):1.1W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃

特性

AOD409具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,有助于降低开关损耗。
  3. 高度稳定的电气性能,确保在不同环境下的可靠运行。
  4. 小型化的TO-252封装,便于PCB布局设计。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

AOD409适用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器的功率开关。
  3. 电池管理系统的负载开关。
  4. 消费类电子产品中的信号切换。
  5. 工业控制设备中的电机驱动电路。
  6. 照明系统中的调光控制模块。

替代型号

AO3400
  IRLZ44N
  FDC6572A

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AOD409参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs54nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 30V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1103-6