时间：2025/9/15 0:16:26
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BF821,215 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关性能的电子电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等多种应用领域。BF821,215的封装形式为SOT223，这种封装方式具有良好的散热性能，适用于表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：4.4A
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
最大功耗（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT223
BF821,215的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其100V的漏源击穿电压使该器件能够适用于中高压应用，如DC-DC转换器和电源管理模块。此外，BF821,215采用了先进的Trench沟槽技术，使其在保持小型封装的同时仍具有较高的电流承载能力和良好的热性能。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为1V至2.5V，意味着其可以与标准逻辑电平驱动电路兼容，从而简化了控制电路的设计。SOT223封装形式不仅有助于散热，还支持自动化装配，提高了生产效率。
此外，BF821,215具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。其封装材料符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于对环保要求较高的电子产品。
BF821,215广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效功率管理的场景中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；在负载开关电路中，它可用于控制电源分配，实现低功耗模式的快速切换；在电机驱动电路中，BF821,215可用于控制电机的启停和方向切换；在LED照明系统中，该器件可用于调光和电源调节；此外，它也适用于电池管理系统、工业自动化设备和消费类电子产品。
BF822,215
BUK9Y15-40E
IPD90N06S4-03
