类型：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
　　集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（在IC=75A时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

TSC73-120M 是一款性能优异的IGBT器件，具备多项关键技术优势。
　　首先，其额定集电极-发射极电压（VCES）为1200V，能够支持高压应用环境，适合用于高压电源转换系统。额定集电极电流（IC）为75A，表明该器件在高电流条件下依然能保持稳定运行。
　　其次，TSC73-120M 的导通压降（VCE_sat）约为2.1V，在相同规格的IGBT中表现良好，有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极-发射极电压（VGE）为±20V，具有良好的栅极驱动能力，能够快速响应开关信号，从而实现高效能的开关操作。
　　其TO-247封装设计不仅便于安装，还具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装形式广泛应用于各种功率电子设备中，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　最后，TSC73-120M 的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备优异的热稳定性，能够在极端环境条件下可靠工作。这使其非常适合工业控制、电机驱动和逆变器系统等高温应用场景。

TSC73-120M 主要应用于高功率和高频率的电子系统中，如工业电机驱动、变频器、电源转换器、不间断电源（UPS）、焊接设备和逆变器等。其高耐压和大电流能力使其在这些领域中表现出色，能够满足高可靠性和高效能的要求。

SGW25N120HD、IRGPC40K、FGL40N120AND