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BF791 发布时间 时间:2025/9/2 21:25:58 查看 阅读:6

BF791 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等高频率、高效率的功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流处理能力的特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):60V
  最大栅极-源极电压(VGSS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):18A
  最大脉冲漏极电流(IDM):70A
  导通电阻(Rds(on)):最大40mΩ(在VGS=10V时)
  最大功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK

特性

BF791 MOSFET 采用了先进的沟槽式(Trench)技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。其低导通电阻(通常为 30-40mΩ)使其在高电流应用中具备良好的热性能,有助于减少散热器的尺寸或简化散热设计。
  此外,该器件具有较高的击穿电压(VDSS=60V),适用于中高功率的电源管理应用。其最大连续漏极电流可达 18A,短时脉冲电流可高达 70A,具备较强的过载能力。
  BF791 的栅极驱动电压范围宽广,支持标准逻辑电平(如5V 和 10V)驱动,兼容多种控制器和驱动IC,提高了设计的灵活性。同时,其热稳定性良好,能够在高温环境下稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。
  该器件还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏,适用于对安全性要求较高的应用场合。

应用

BF791 广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器;
  2. DC-DC 升压或降压转换器,如用于电池供电设备、工业控制和汽车电子系统;
  3. 负载开关,用于控制高功率负载的通断;
  4. 马达控制电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动;
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制;
  6. 工业自动化设备和伺服驱动器中的功率开关元件。

替代型号

IRFZ44N, STP18NF06, FDPF6N60, Si4410DY

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