BF245B 时间：2025/7/30 19:08:18 阅读：44

BF245B 是一种 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛用于低噪声前置放大器、模拟开关、电压控制电路等应用中。该器件具有高输入阻抗、低噪声系数和良好的线性特性，适合在模拟电路中作为输入级或信号处理元件使用。BF245B 是 TO-92 或 SOT-113 封装的常见型号，属于 BF245 系列中的一个子型号，与其他子型号（如 BF245A 和 BF245C）相比，其夹断电压（VGS(off)）范围略有不同。

参数

类型：N 沟道 JFET
　　漏极电流（IDSS）：最大 10 mA
　　夹断电压（VGS(off)）：-0.5V 至 -6V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V
　　栅源击穿电压（BVGSS）：-30V
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BF245B 的核心特性是其作为 JFET 器件所具备的高输入阻抗和低噪声性能。由于其栅极是反向偏置的 PN 结，因此输入电流极小，使得该器件非常适合用于高精度信号放大。其漏极电流 IDSS 在 VGS=0 时通常为 2~10 mA，具体数值因制造批次和子型号而异。夹断电压 VGS(off) 通常在 -0.5V 到 -6V 之间，这意味着在栅极电压达到该阈值时，漏极电流将趋于零。这种可变的夹断特性使得 BF245B 可以用于电压控制电阻（VCR）电路，例如在自动增益控制（AGC）或模拟乘法器中。
　　BF245B 的封装形式通常为 TO-92 或 SOT-113，便于在 PCB 设计中使用。其低噪声系数使其成为音频前置放大器和 RF 放大器的理想选择。此外，该器件具有良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作。

应用

BF245B 主要应用于低噪声前置放大器、模拟开关、电压控制电阻（VCR）电路、音频放大器输入级、RF 放大器、模拟乘法器、电压控制滤波器以及电子琴等音频设备中。由于其高输入阻抗和低噪声特性，BF245B 常被用于高精度测量仪器和音频处理设备的前端电路。此外，它还可用于构建简单的模拟开关或衰减器，通过改变栅极电压来控制漏极电流，从而实现对信号的调节。