43CTQ080 时间：2025/12/26 20:25:42 阅读：15

43CTQ080是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用中心抽头配置的双二极管结构，广泛应用于低压同步整流、DC-DC转换器、电源管理单元以及反向电压保护电路中。其核心优势在于低正向压降（VF）、快速反向恢复能力以及优异的热性能，能够显著降低导通损耗并提升系统整体能效。43CTQ080封装于紧凑的TO-277（D2PAK-4）表面贴装封装中，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。
　　该器件特别适用于服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器及便携式电子设备中的高效电源转换系统。其额定最大平均整流电流为43A，峰值重复反向电压为80V，表明其可在中等电压、大电流条件下稳定运行。此外，43CTQ080符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色制造的要求。通过优化芯片结构与材料工艺，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，适用于工业级温度范围（-55°C 至 +175°C）。

参数

类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管中心抽头（Common Cathode）
　　最大反向电压（VRRM）：80V
　　平均整流电流（IO）：43A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A（半波，60Hz）
　　正向压降（VF）：典型值0.55V @ 21.5A, 25°C；最大值0.65V @ 21.5A, 125°C
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA @ 80V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约0.45°C/W（典型）
　　封装类型：TO-277（D2PAK-4）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：4

特性

43CTQ080的核心技术基于先进的肖特基势垒原理，利用金属-半导体接触形成低势垒二极管结构，从而实现极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中表现出色，有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了电源转换效率。相较于传统的PN结二极管，肖特基二极管不存在少子存储效应，因此在关断瞬间不会产生反向恢复电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，并允许更高的开关频率操作。
　　该器件采用双二极管共阴极配置，特别适用于全波整流或同步整流拓扑，如LLC谐振变换器或有源钳位反激式电源中。其43A的大电流承载能力确保在高功率密度设计中仍能维持低热阻和稳定输出。TO-277封装不仅提供了四个引脚以增强电流分流能力，还集成了大面积裸露焊盘，便于连接PCB上的散热铜箔，进一步提升热传导效率。
　　在可靠性方面，43CTQ080经过严格的高温反向偏压（HTRB）和高温工作寿命（HTOL）测试，确保在长期高温高应力环境下仍能保持性能稳定。其低寄生电感和电容设计也有助于减少高频噪声耦合，提高系统信号完整性。此外，器件内部采用银烧结工艺连接芯片与基板，增强了热循环耐久性和机械强度，适用于严苛工业和通信应用场景。

应用

43CTQ080广泛应用于各类需要高效能、高可靠性整流功能的电力电子系统中。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）次级侧整流、电信整流器、工业电源模块、DC-DC升/降压转换器以及电池管理系统中的防反接保护电路。由于其低VF特性，在同步整流拓扑中可替代MOSFET驱动复杂度较高的方案，简化设计并降低成本。
　　在笔记本电脑、平板电脑和超极本的AC-DC适配器中，43CTQ080常用于二次侧全波整流，配合PWM控制器实现高效率能量转换。其高频响应能力也使其适用于LLC谐振变换器和移相全桥拓扑，这些架构要求整流器件具备快速响应和低损耗特性以实现ZVS（零电压开关）或ZCS（零电流开关）操作。
　　此外，该器件还可用于太阳能微逆变器、LED驱动电源和汽车辅助电源系统（非牵引类）中，尤其适合空间受限但功率密度要求高的场合。在多相供电系统中，多个43CTQ080可并联使用以分担电流负载，提高系统冗余性和散热均匀性。凭借其紧凑封装和高性能表现，43CTQ080成为现代高效电源设计中不可或缺的关键元件之一。