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BDT61A-S 发布时间 时间:2025/12/28 22:59:21 查看 阅读:14

BDT61A-S 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款双极型晶体管阵列器件,属于NPN-PNP型晶体对管。该器件集成了一对互补晶体管在一个封装中,适用于需要互补驱动的应用场景,如电机驱动、H桥电路、继电器控制和功率开关等。由于其紧凑的设计和良好的性能,BDT61A-S在工业控制和消费类电子产品中广泛应用。

参数

类型:双极型晶体管阵列(NPN-PNP)
  集电极-发射极电压(Vceo):最大100V(NPN)和100V(PNP)
  集电极电流(Ic):最大1A(NPN)和1A(PNP)
  功率耗散(Ptot):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-92 或等效的小型封装
  电流增益(hFE):根据不同的等级,典型值在100到800之间
  过渡频率(fT):100MHz(典型值)

特性

BDT61A-S 的主要特性之一是其集成了NPN和PNP晶体管在一个封装中,使得在设计互补驱动电路时可以节省PCB空间并减少外围元件的数量。这对晶体管的参数匹配较好,确保在对称应用中性能一致。该器件的最大集电极-发射极电压和电流能力足以应对大多数中低功率应用场景,同时具备较高的频率响应能力,过渡频率达到100MHz,适用于中高频开关应用。
  此外,BDT61A-S的热性能良好,具有2.5W的总功率耗散能力,能够在较高温度环境下稳定工作。该器件的工作温度范围较宽,支持-55°C至+150°C,适合在工业级温度条件下使用。其TO-92封装形式也便于手工焊接和在各种通用电子设备中的应用。
  电流增益(hFE)的分档设计使得用户可以根据具体需求选择合适的放大倍数,提高设计的灵活性。这种晶体管对管结构也减少了PCB布局的复杂性,并降低了设计中匹配晶体管所需的时间和成本。

应用

BDT61A-S 通常用于需要互补晶体管对的应用场景。例如,在H桥电机驱动电路中,NPN和PNP晶体管分别用于高边和低边开关,实现电机的正反转控制。在继电器或负载开关控制中,它可以作为驱动晶体管,控制较大的负载电流。此外,该器件也常用于音频放大器的输出级,作为推挽放大电路的一部分,以提高输出功率和效率。
  在数字电路中,BDT61A-S 可以用于构建互补输出驱动器,提高输出级的驱动能力和响应速度。它也适用于各种开关电源和DC-DC转换器中的功率开关控制。在工业自动化和控制设备中,BDT61A-S 常被用来驱动LED显示屏、小型继电器、风扇、加热元件等负载。
  由于其封装小巧、性能稳定,BDT61A-S 在消费类电子产品中也得到了广泛应用,如智能家电、电动玩具、小型电源适配器等。在这些应用中,它不仅可以作为基本的开关元件,还可以用于构建简单的稳压电路或信号放大电路。

替代型号

BDT61A-S 的替代型号包括BDT61E、BDT61A 和BDT61。这些型号与BDT61A-S 在引脚排列和电气特性上基本兼容,但可能在封装形式或具体参数上略有差异。例如,BDT61E 通常采用SMD封装,适合表面贴装工艺,而BDT61A 则可能是另一种封装形式的版本。在选择替代型号时,应根据具体的应用需求和PCB布局情况来确认合适的型号。

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BDT61A-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类Transistors Darlington
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO80 V
  • 最大直流电集电极电流4 A
  • 最大集电极截止电流200 uA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Reel
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min750
  • 最小工作温度- 65 C