晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92 或 SOT54

BDT58晶体管具有多个显著特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）使其适用于中高频放大电路，能够保持良好的增益稳定性。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，可适用于不同的放大需求，从而提高了设计的灵活性。
　　此外，BDT58具备良好的热稳定性和较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。该晶体管还具有较快的开关速度，适用于数字开关电路和脉冲放大电路。
　　其封装形式为TO-92或SOT54，具有良好的机械稳定性和易于安装的特点，适用于PCB上的自动装配工艺。

BDT58晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。在通信领域，它常用于射频放大器、中频放大器以及信号调制电路中，以提升信号强度和稳定性。在工业控制方面，BDT58可用于传感器信号放大、继电器驱动和小型电机控制电路。
　　此外，该晶体管也适用于消费类电子产品，如音频放大器、遥控器、玩具和家用电器中的控制电路。由于其良好的高频响应和开关特性，BDT58也可用于脉冲宽度调制（PWM）电路、DC-DC转换器和LED驱动电路等功率控制应用。

BC547, 2N3904, BC817, 2N2222, MPS2222