时间：2025/5/10 14:58:13
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BDFN2C051VB是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压MOSFET，采用超小型DSO封装。该器件专为高效率开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于消费电子、工业电源以及汽车电子等领域的功率转换电路。这款MOSFET支持较高的漏源电压（VDS），使其能够在严苛的高压环境中稳定工作。
最大漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：3.7A
导通电阻（RDS(on)）：1.4Ω
栅极电荷（Qg）：22nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BDNF2C051VB的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻和优化的开关性能。这些特点使其成为硬开关应用的理想选择。此外，其紧凑的封装形式能够节省PCB空间，同时保持高效的散热性能。
该器件还具备出色的雪崩能力和较低的反向恢复电荷（Qrr），这有助于减少开关损耗并提高系统可靠性。在高频开关场景中，它的快速开关速度可以显著降低开关损耗，从而提升整体效率。
BDNF2C051VB适用于多种高压功率转换应用，包括但不限于适配器和充电器、LED驱动器、DC-DC转换器、电动工具中的功率管理模块，以及家电中的电机驱动电路。此外，它也常被用作续流二极管或同步整流器的一部分，以增强系统的能量转换效率。
BUX78N06D3,
IRF840,
FQA65P12,
BSC018N06NSG
