时间：2025/11/8 10:15:15
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BD9D300MUV-E2是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的高效、同步降压型DC-DC转换器芯片，专为需要高效率和小尺寸电源解决方案的便携式设备和消费类电子产品设计。该芯片采用电流模式控制架构，能够提供快速的瞬态响应和良好的负载调节能力，确保在各种工作条件下输出电压的稳定性和精确性。BD9D300MUV-E2集成了上管和下管功率MOSFET，无需外置开关管，简化了外围电路设计，减少了整体PCB占用面积，非常适合空间受限的应用场景。其工作输入电压范围宽，典型值为2.7V至5.5V，支持单节锂电池或3.3V/5V系统供电，输出电压可通过外部电阻进行调节，最低可调至0.8V，最大输出电流可达3A，满足多种低电压大电流供电需求。
该芯片采用了ROHM独有的高速环路补偿技术，能够在不使用外部补偿元件的情况下实现稳定的闭环控制，进一步减小了外部元件数量和设计复杂度。同时，它具备多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），有效提升了系统的安全性和可靠性。BD9D300MUV-E2采用紧凑的HTSOP-J8封装，具有良好的热性能，便于散热管理。此外，该器件符合RoHS环保标准，并采用无铅和无卤素材料制造，适用于绿色电子产品设计。
型号：BD9D300MUV-E2
类型：同步降压DC-DC转换器
拓扑结构：降压（Buck）
输入电压范围：2.7V 至 5.5V
输出电压范围：0.8V 至 输入电压
最大输出电流：3A
开关频率：1.2MHz
控制方式：电流模式PWM
静态电流：典型值 30μA
关断电流：小于 1μA
效率：最高可达 95%
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：HTSOP-J8
引脚数：8
集成MOSFET：是（上下管均集成）
调光方式：支持外部电阻设定输出电压
保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）
BD9D300MUV-E2采用先进的电流模式控制架构，这种控制方式能够实时监测电感电流，实现精确的峰值电流检测和快速的瞬态响应。当负载发生突变时，控制器能迅速调整占空比，以维持输出电压的稳定，避免出现较大的电压波动或下冲现象。该特性特别适用于对电源噪声敏感的数字电路，如微处理器、FPGA或高速存储器等。此外，电流模式控制还提供了逐周期的过流保护能力，增强了系统的鲁棒性。芯片内部集成了经过优化的功率MOSFET，导通电阻低，减少了导通损耗，从而提高了整体转换效率。其高达1.2MHz的固定开关频率使得可以使用小型陶瓷电感和电容，显著缩小了外部元件尺寸，有利于实现高密度电源布局。
该器件无需外部频率补偿网络，得益于ROHM专有的高速误差放大器和内部补偿电路设计，可以在广泛的输入电压和负载条件下保持环路稳定性，这不仅降低了设计门槛，也避免了因补偿不当导致的振荡问题。同时，芯片支持轻载高效模式，在低输出电流时自动进入脉冲跳跃模式（PSM），有效降低开关损耗和静态功耗，延长电池供电设备的续航时间。其超低的静态电流（典型30μA）和关断模式下的亚微安级漏电流进一步优化了待机功耗表现。HTSOP-J8封装具有优良的散热性能，通过裸露焊盘将热量传导至PCB地层，提升了热管理效率。所有这些特性共同使BD9D300MUV-E2成为高性能、小体积电源应用的理想选择。
BD9D300MUV-E2广泛应用于各类需要高效、小型化电源解决方案的电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、无线通信模块、工业传感器、物联网（IoT）终端以及可穿戴设备等。在这些应用中，通常需要将单节锂离子电池（标称电压3.7V）或系统总线电压（如5V或3.3V）转换为处理器核心、内存、摄像头模组或其他模拟电路所需的低压直流电源（例如1.8V、1.2V或0.9V）。由于其高集成度和无需外部补偿的特点，工程师可以快速完成电源设计并缩短产品开发周期。此外，该芯片也适用于对电磁干扰（EMI）要求较高的场合，因为其恒定频率运行特性有助于预测和抑制噪声频谱。在多电源轨系统中，BD9D300MUV-E2可作为次级稳压器，配合LDO或其他电源芯片共同构建完整的电源树结构。其高效率和低热耗散特性使其在密闭空间或无风扇散热环境中也能可靠工作，满足严苛的环境适应性要求。
BD9E301EFJ-LB,EUP3280,MP2315,RT6206
