工作输入电压范围：8V ~ 28V
　　输出电压范围：1.0V ~ 输入电压 - 2V
　　最大占空比：95%
　　最小导通时间：100ns
　　开关频率可调范围：100kHz ~ 1MHz
　　参考电压精度：±1%
　　误差放大器带宽：8MHz
　　驱动能力：上下管各300mA峰值电流
　　软启动时间：可通过外部电容设定
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：SOP-B28（宽体）
　　引脚数：28
　　保护功能：过流保护、过压保护、欠压锁定、热关断
　　控制模式：电流模式PWM控制
　　外部元件支持：支持外接N沟道MOSFET
　　静态电流：典型值5.5mA
　　关断电流：<10μA

BD9972FV-E2具备优异的电流模式控制性能，能够提供快速的瞬态响应和稳定的环路控制。其内部集成的高增益误差放大器与斜坡补偿电路相结合，有效提升了系统在宽负载变化下的稳定性，并防止次谐波振荡的发生，尤其在占空比较高的应用场景中表现突出。该芯片通过外部电阻分压网络精确设定输出电压，参考电压源具有±1%的高精度，确保输出电压长期工作的稳定性和准确性。其可编程开关频率范围宽达100kHz至1MHz，允许设计者根据效率、EMI要求及外部元件尺寸进行优化调整。高频操作有助于减小电感和电容的物理尺寸，从而实现紧凑型电源设计。
　　该器件内置了自适应非重叠时间控制逻辑，确保上下桥臂MOSFET之间的死区时间合理，避免直通电流，提高转换效率并降低开关损耗。其栅极驱动器具备较强的驱动能力，可快速充放电MOSFET的栅极电荷，进一步提升开关速度和整体能效。此外，芯片支持外接Bootstrap电容实现高边MOSFET的自举供电，简化了高侧驱动的设计复杂度。
　　在保护机制方面，BD9972FV-E2采用逐周期电流限制技术，通过检测下桥臂或采样电阻上的电流信号实现精确的过流保护，防止因短路或过载导致器件损坏。当检测到异常时，芯片会自动进入打嗝模式（hiccup mode），暂停工作直至故障解除，保障系统的安全性。欠压锁定（UVLO）功能确保只有在输入电压达到安全水平后才启动工作，防止低电压下的不稳定运行。热关断保护则在结温超过安全阈值时关闭输出，待温度下降后自动恢复，增强了长期运行的可靠性。

BD9972FV-E2常用于需要高效、高可靠性的中等功率DC-DC转换场合。典型应用包括工业自动化设备中的分布式电源系统，如PLC模块、伺服驱动器和传感器供电单元，这些环境通常对电源的稳定性和抗干扰能力有较高要求。在网络通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机和基站的板级电源设计，为其FPGA、ASIC、DSP等核心处理器提供稳定的内核电压和I/O电压。此外，在测试测量仪器、医疗电子设备以及嵌入式控制系统中，BD9972FV-E2也因其高精度调节能力和多重保护功能而被广泛采用。
　　由于其支持外接MOSFET，因此特别适合需要定制化功率等级的应用场景。例如，在大电流输出需求下，可通过选用低Rds(on)的N沟道MOSFET实现高效能转换，同时配合适当的散热设计满足持续负载要求。该芯片还可用于电池供电系统的电压调节，尤其是在多节锂电池串联供电的设备中，作为中间电压转换级使用。另外，在LED驱动电源、POS终端、安防监控设备等领域也有广泛应用。得益于其SOP宽体封装的良好热性能，即使在高功率密度设计中也能保持良好温升控制，适用于空间受限但散热条件有限的紧凑型设备。

BD9G500EFJ-LA