BD9130NV-E2 时间：2025/12/25 10:23:20 阅读：17

BD9130NV-E2 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款高效率、低压同步降压型DC-DC转换器，专为便携式设备和低功耗应用设计。该芯片采用电流模式控制架构，能够在宽输入电压范围内稳定工作，提供精确的输出电压调节。其内置P沟道和N沟道MOSFET，减少了外部元件数量，简化了电源设计，同时提升了整体转换效率。BD9130NV-E2 适用于对空间和功耗敏感的应用场景，如智能手机、平板电脑、物联网设备以及电池供电系统。
　　该器件采用SOP-8封装，具备良好的热性能和紧凑的占位面积，适合高密度PCB布局。芯片还集成了多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（TSD）和欠压锁定（UVLO），确保在异常工况下安全运行。此外，BD9130NV-E2 支持外部电阻设定输出电压，具有良好的设计灵活性，并能在轻载条件下进入省电模式以提高效率。

参数

型号：BD9130NV-E2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　产品类型：DC-DC降压转换器
　　拓扑结构：同步整流降压（Buck）
　　输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　输出电压范围：0.8V ~ 输入电压
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：1.2MHz
　　控制方式：电流模式PWM控制
　　反馈参考电压：0.6V ±1%
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：SOP-8
　　静态电流：典型值 55μA
　　关断电流：≤1μA
　　调节类型：可调输出
　　同步整流：是
　　内部功率MOSFET：集成P+N沟道
　　保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定

特性

BD9130NV-E2 采用先进的电流模式控制架构，使其在瞬态响应和负载调整率方面表现出色。这种控制方式允许芯片快速响应输出负载的变化，维持稳定的输出电压，即使在负载突变的情况下也能保持良好的动态性能。其高频开关操作（1.2MHz）使得可以使用小型电感和陶瓷电容，从而显著减小整体电源解决方案的尺寸，特别适合空间受限的便携式电子产品。
　　该芯片内置低导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET作为主开关器件，降低了导通损耗，提高了转换效率，尤其是在中高负载条件下效率可超过90%。由于采用同步整流技术，避免了传统肖特基二极管带来的压降损耗，进一步提升了能效并减少了发热。此外，芯片在轻载或待机状态下自动切换至脉冲跳跃模式（PSM），有效降低静态电流消耗，延长电池寿命。
　　BD9130NV-E2 提供精确的电压反馈机制，基准电压为0.6V，精度可达±1%，通过外部电阻分压网络可灵活设置输出电压。其内置软启动功能可防止启动时产生过大浪涌电流，保护输入电源和后级电路。全面的保护机制包括逐周期过流保护、自动恢复的过温关断以及输入欠压锁定功能，确保系统在各种异常条件下可靠运行。这些特性共同使 BD9130NV-E2 成为高性能、高可靠性电源管理的理想选择。

应用

BD9130NV-E2 广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的电子设备中。常见用途包括移动手持设备如智能手机、MP3播放器、便携式医疗仪器和无线传感器节点等，这些设备通常依赖电池供电并对能效和体积有严格要求。该芯片也适用于工业控制系统中的低功耗微控制器供电（MCU）、FPGA内核电源、数字信号处理器（DSP）辅助电源等领域。
　　在消费类电子产品中，它可用于LCD偏置电源、摄像头模块供电、USB接口电源管理单元等场景。由于其宽输入电压范围和稳定的输出性能，BD9130NV-E2 还适用于由单节锂离子电池或两节AA电池供电的系统。此外，在物联网（IoT）终端设备中，该芯片能够为Wi-Fi模块、蓝牙模块和其他射频组件提供干净且高效的电源轨，满足低噪声和高效率的双重需求。
　　得益于其SOP-8封装和极少的外围元件需求，BD9130NV-E2 特别适合自动化贴片生产线，有助于降低制造成本和提升产品良率。其高集成度和优异的热性能也使其在长时间连续工作的嵌入式系统中表现稳定，是现代便携式电子设备中理想的非隔离式直流电源解决方案之一。