型号：BD8665GW-E2
　　制造商：ROHM
　　封装类型：SOP-8L
　　输入电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电压范围：0.8V ~ 输入电压
　　开关频率：典型值300kHz
　　控制方式：电流模式PWM控制
　　最大占空比：接近100%
　　静态电流：约2.5mA
　　关断电流：小于1μA
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　驱动能力：内置高/低侧栅极驱动器
　　保护功能：过流保护、过压保护、欠压锁定、热关断

BD8665GW-E2采用峰值电流模式控制架构，这种控制方式不仅提供了快速的瞬态响应能力，还能在负载突变时维持输出电压的稳定性。电流模式控制通过实时监测电感电流来调整占空比，从而实现精确的能量传递控制。相较于电压模式控制，它对输入电压波动更为敏感且反应更快，尤其适合输入电压变化较大的应用场景。此外，该控制方式简化了环路补偿设计，通常只需使用II型补偿网络即可实现稳定的闭环控制，降低了设计复杂度。
　　该芯片具备宽输入电压范围（4.5V至18V），使其能够兼容多种电源系统，例如12V总线供电的工业设备、车载电源系统（如12V铅酸电池供电）以及通用AC-DC适配器输出端。在此范围内，芯片内部稳压器可为自身逻辑电路和栅极驱动器提供稳定的工作电压，确保控制逻辑正常运行。
　　BD8665GW-E2集成了高边和低边栅极驱动器，能够直接驱动外部N沟道MOSFET。相比集成MOSFET的降压IC，这种控制器架构允许用户根据功率需求选择合适的MOSFET，从而在效率、成本和散热之间取得最佳平衡。特别是在大电流应用中，选用低Rdson的MOSFET可以显著降低导通损耗，提高整体转换效率。
　　为了提升系统可靠性，芯片内置多种保护功能。过流保护通过检测下管导通期间的电流信号实现，当超过设定阈值时立即关闭驱动信号；过压保护防止输出异常升高损坏后级电路；欠压锁定确保芯片仅在供电电压达到安全水平后才开始工作；热关断功能则在芯片温度过高时自动关闭输出，待冷却后恢复运行。这些多重保护机制大大增强了系统的鲁棒性。
　　此外，BD8665GW-E2支持可调软启动功能，通过外接电容设置启动时间，避免输入电源因瞬间大电流而导致电压跌落。其工作频率固定为约300kHz，既保证了较高的功率密度，又避免了过高的开关损耗。整体设计兼顾性能、效率与可靠性，适用于中高端电源管理需求。

BD8665GW-E2广泛应用于各类需要高效、稳定直流电源转换的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器供电单元、电机驱动控制器中的辅助电源设计，为其微处理器、FPGA、ADC/DAC等核心器件提供稳定的低压电源。由于其宽输入电压范围和良好的负载调整率，特别适合接入未经稳压的12V或24V工业母线电源进行二次稳压。
　　在通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机、光模块等设备的板级电源解决方案，将系统主电源（如12V）转换为5V、3.3V或更低的核心电压，满足不同集成电路的供电需求。其良好的瞬态响应能力可应对数字电路突发性负载变化，保持电压稳定，防止逻辑错误或复位发生。
　　在消费类电子产品中，BD8665GW-E2可用于电视、机顶盒、智能家居控制面板等产品的内部电源模块，提供高效的降压转换方案。对于需要长时间运行且注重能效的产品，其高转换效率有助于降低功耗和发热，延长使用寿命。
　　在汽车电子应用中，尽管该芯片并非AEC-Q100认证车规级产品，但仍可用于部分非关键车载设备，如车载信息娱乐系统、行车记录仪、车载充电器等，利用其对12V电池系统的良好适应性实现稳定供电。此外，在LED照明驱动、便携式医疗设备、测试测量仪器等领域也有广泛应用前景。
　　总体而言，BD8665GW-E2凭借其高集成度、灵活的外部元件配置能力和多重保护机制，成为中等功率DC-DC降压应用的理想选择之一，适用于对电源性能有较高要求的嵌入式系统设计。

BD8664GWL-E2
　　BD9D100MUF-C
　　LM5117HTC/NOPB
　　TPS54340DDAR