型号：BD82CPDS QMZP
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：8.2 A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：32 A
　　最大功耗（Pd）：2.5 W
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：11 mΩ（典型值）
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=2.5V：14 mΩ（典型值）
　　阈值电压（Vth）：0.6 V ~ 1.0 V
　　栅极电荷（Qg）：9 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：420 pF（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT（双侧冷却超薄封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合环保标准：符合RoHS指令，不含铅（Pb）且无卤素

BD82CPDS QMZP具备卓越的低导通电阻特性，使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为11mΩ，在同类产品中处于领先水平，这使得它非常适合用于电池供电设备中的电源开关和负载管理，有效延长电池续航时间。该器件采用了ROHM专有的沟槽结构和制程技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力。同时，低Rds(on)也减少了发热，降低了对散热设计的要求，有利于实现紧凑型高密度电源设计。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg=9nC）和米勒电容（Crss），能够实现快速的开启与关断响应，减少开关过程中的能量损耗。这一特性对于高频DC-DC变换器尤为重要，可有效提升转换效率并减小外围滤波元件的尺寸。此外，较低的输入电容（Ciss=420pF）有助于减轻驱动电路负担，兼容多种逻辑电平信号直接驱动，无需额外的缓冲级。
　　BD82CPDS QMZP采用TSMT封装，具备双侧冷却能力，即通过顶部和底部同时进行热传导，极大增强了散热性能。这种封装设计不仅提高了功率密度，还允许在有限空间内实现更高的持续电流输出。封装材料具备良好的机械强度和耐湿性，适用于回流焊工艺，并通过了严格的质量认证，确保在复杂环境下的长期可靠性。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表现出色的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。结合其符合AEC-Q101标准的设计，使其成为汽车电子系统的理想选择。无论是瞬态过载还是长时间满负荷运行，BD82CPDS QMZP均能保持稳定的电气性能，避免因温度升高导致的性能退化或失效。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，进一步提升了系统安全性与耐用性。

BD82CPDS QMZP主要应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池隔离与充放电控制。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET常作为同步整流开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计。
　　在汽车电子领域，该器件被广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、LED前大灯驱动以及车身控制模块中的电源切换。由于其符合AEC-Q101标准，能够在严苛的温度循环和振动环境下稳定工作，因此适合部署于发动机舱附近或高温区域的电子控制单元（ECU）。
　　此外，BD82CPDS QMZP也可用于工业自动化设备中的电机驱动电路、继电器替代方案以及热插拔控制器。在服务器和通信基站的电源系统中，其高频响应能力有助于构建高效的POL（Point-of-Load）转换器。得益于其小型化封装，该器件还能满足现代电子产品对轻薄化和高集成度的需求，是替代传统通孔型MOSFET的理想选择。

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　　 "BSC082N02LS G",
　　 "FDMC8202",
　　 "SI2302DS",
　　 "AOZ8202AQI"
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