型号：BD81026MUV-E2
　　制造商：ROHM
　　器件类型：同步降压DC-DC转换器
　　输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
　　输出电压范围：0.8V ~ 3.6V（可调）
　　最大输出电流：2.6A
　　开关频率：典型值1.2MHz（可外部调节）
　　控制方式：电流模式PWM控制
　　静态电流：约20μA（关断模式）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C（Tj）
　　封装形式：HTSOP-J8（带散热垫）
　　集成MOSFET：内置高侧和低侧N沟道MOSFET
　　反馈参考电压：0.6V ±1%
　　关断电流：小于1μA
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定（UVLO）

BD81026MUV-E2具备优异的动态响应能力和高转换效率，这得益于其采用的电流模式控制架构。该控制方式不仅提高了环路稳定性，还增强了对输入电压和负载变化的快速响应能力。在轻载条件下，芯片自动进入省电模式（PSM），通过脉冲跳跃技术降低开关频率，显著减少静态功耗，延长电池寿命，非常适合用于由电池供电的移动设备。而在重载或连续负载下，它则无缝切换至PWM模式，保持恒定的高频开关操作，确保输出电压纹波极小且效率最大化。这种智能模式切换机制使得BD81026MUV-E2在全负载范围内都能实现卓越的能效表现。
　　该芯片内置了完整的功率级，包含上管和下管N沟道MOSFET，导通电阻低，减少了导通损耗，进一步提升了整体效率。同时，其高达1.2MHz的典型开关频率允许使用小型陶瓷电感和电容，极大缩小了PCB占用面积，满足现代电子产品对微型化的严格要求。此外，外部频率调节功能让用户可以根据EMI敏感度或效率目标调整开关频率，灵活应对不同应用场景的需求。软启动功能通过控制启动时的上升斜率，防止输入电源出现大的浪涌电流，避免系统复位或电压跌落问题。内部补偿网络的设计也大大简化了外部元件配置，降低了设计复杂度，加快了产品上市时间。值得一提的是，该器件具有精确的0.6V ±1%反馈参考电压，支持从0.8V起始的宽范围可调输出，适应多种核心电压需求。其出色的热管理和过温保护机制可在结温超过限定值时自动关闭输出，保障系统长期可靠运行。整体来看，BD81026MUV-E2是一款集高性能、高集成度与高可靠性于一体的先进电源管理IC。

BD81026MUV-E2广泛应用于各类需要高效、小型化电源解决方案的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和蓝牙耳机等设备中的核心处理器或传感器供电模块。其高效率和低静态电流特性使其成为电池供电系统的理想选择，有助于延长续航时间。在工业控制方面，可用于PLC模块、数据采集终端、小型HMI显示屏等嵌入式控制系统中，提供稳定可靠的低压电源。由于该器件符合AEC-Q100标准，因此也被广泛部署于汽车电子系统中，例如车载摄像头模块、驾驶员辅助系统（ADAS）、仪表盘显示单元以及车载信息娱乐系统（IVI）。这些应用通常要求电源具备良好的温度适应性、抗干扰能力和长期稳定性，BD81026MUV-E2正好满足这些严苛条件。此外，在物联网（IoT）设备中，如智能家居网关、无线传感器节点和可穿戴设备，该芯片能够以极小的体积提供高效的电压转换，支持多核SoC或无线通信芯片的供电需求。其可调输出电压和宽输入范围也使其适用于由USB电源（5V）或单节锂电池（3.7V）供电的各种平台。总体而言，BD81026MUV-E2凭借其高集成度、优良的热性能和丰富的保护功能，已成为现代电子设备中不可或缺的关键电源组件之一。

BD81025MUV-E2
　　BD81027MUV-E2
　　RTQ2021GQW
　　MP2315DJ-LF-Z