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NVD5C486NLT4G 发布时间 时间:2025/6/22 14:39:49 查看 阅读:25

NVD5C486NLT4G 是一款由知名半导体制造商生产的高性能 DDR4 ECC 内存模组芯片,广泛应用于服务器、工作站和高性能计算系统中。它支持 ECC(错误检查与纠正)功能,能够检测并修正单比特错误,从而提高数据的完整性和系统的可靠性。
  该芯片基于先进的制程工艺设计,具有低功耗和高带宽的特点,能够满足现代计算环境中对内存性能和稳定性的严格要求。

参数

类型:DDR4 ECC
  容量:4GB
  引脚数:260
  工作电压:1.2V
  数据速率:2400MT/s
  封装形式:BGA
  ECC支持:支持
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

NVD5C486NLT4G 提供卓越的数据传输性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. 支持 ECC 技术,可有效减少因内存错误导致的系统崩溃或数据丢失。
  2. DDR4 标准下的高速数据传输率(2400MT/s),显著提升整体系统性能。
  3. 采用 BGA 封装,具备良好的电气特性和散热性能。
  4. 工作电压为 1.2V,相比之前的 DDR3 标准进一步降低功耗。
  5. 适用于需要长时间运行且对可靠性要求极高的工业级和企业级应用场景。

应用

NVD5C486NLT4G 主要用于以下领域:
  1. 高性能服务器和数据中心。
  2. 工作站及图形处理设备。
  3. 医疗成像、科学计算和其他需要高精度数据处理的应用。
  4. 金融交易系统和实时数据分析平台。
  5. 其他对数据可靠性和系统稳定性有较高要求的场景。

替代型号

NVD5C486NLB4G
  NVD5C486NLT2G
  NVD5C486NLB2G

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NVD5C486NLT4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥13.20000剪切带(CT)2,500 : ¥5.58974卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.8A(Ta),24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.9W(Ta),18W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63