时间：2025/4/29 13:42:39
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BD5230G-TR 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道MOSFET晶体管。它采用超小型DFN1610封装，适合于需要高效能和小体积设计的应用场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度等特性，广泛应用于各种消费电子、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.3A
导通电阻：90mΩ
栅极阈值电压：1.7V
功耗：830mW
工作温度范围：-40℃至+125℃
BD5230G-TR拥有非常低的导通电阻，在典型的工作条件下可以降低功率损耗，提升整体效率。此外，其快速的开关性能使其非常适合高频开关应用。
由于采用了DFN1610封装，该器件在PCB布局上能够节省空间，并且具备良好的散热性能。
此产品还具有较高的静电放电（ESD）保护能力，增强了产品的可靠性。同时，其低栅极电荷和输入电容有助于减少驱动损耗并简化电路设计。
BD5230G-TR适用于多种电力电子应用，例如负载开关、DC/DC转换器、LED驱动器以及电池管理单元等。
在智能手机和平板电脑中，可以用作电源管理模块中的关键组件；在汽车电子系统内，则可用于车身控制模块或信息娱乐系统的供电部分。
其他典型应用包括USB接口保护、蓝牙耳机充电盒电路、便携式医疗设备和物联网终端节点等低功耗设计场合。
BD5231G-TR
