BD5200S 时间：2025/8/15 3:42:39 阅读：4

BD5200S是一款由Rohm公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及高可靠性的特点，适用于各种电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：10A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：0.32Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大耗散功率(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

BD5200S具有优异的导通性能和快速开关特性，能够有效降低导通损耗和开关损耗，提高电源系统的效率。其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流工作时也能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用。封装结构便于安装散热片，提高热管理效率。
　　此外，BD5200S具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定工作，增强器件的耐用性和可靠性。适用于在恶劣环境条件下工作的电源系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V到15V驱动电压，兼容常见的MOSFET驱动器，方便电路设计和集成。

应用

BD5200S常用于各种电源转换系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也非常适合用于高效率的同步整流电路和开关电源（SMPS）中。此外，该器件还可用于LED照明驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器等需要高效功率控制的场合。