BD4844G-TR是罗姆(ROHM)半导体公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性,适合用于各种高效能的开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。
这款MOSFET的封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能,并且支持表面贴装技术(SMD),非常适合自动化生产和紧凑型设计的需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:13A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:19nC
开关时间:ton=27ns, toff=18ns
工作结温范围:-55℃至150℃
BD4844G-TR的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,可适应高频开关应用场景,降低开关损耗。
3. 较高的连续漏极电流承载能力,满足大功率应用需求。
4. 采用DPAK封装,具备优秀的散热特性和机械强度。
5. 良好的温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
BD4844G-TR广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
2. 各类直流电机驱动电路,例如家用电器中的风扇控制、水泵驱动等。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
4. 工业自动化设备中的信号放大及功率转换。
5. LED驱动电路中作为开关元件使用。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
IRFZ44N
STP13NF06L
FDP15N60E