型号：BD4731G-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-23-5
　　引脚数：5
　　阈值电压：3.1V（典型值）
　　检测电压精度：±2.0%
　　输出类型：开漏输出
　　复位延迟时间：240ms（典型值）
　　工作电源电压范围：1.0V 至 6.0V
　　静态电流：1.0μA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　产品系列：BD47xxG
　　安装方式：表面贴装

BD4731G-TR的核心特性之一是其高精度电压检测能力，其内置的参考电压源和比较器可实现对输入电压的精确监控，阈值电压设定为3.1V，精度高达±2.0%，确保在各种温度和负载条件下均能稳定工作。这种高精度特性使得该芯片能够有效防止系统在接近临界电压时出现不稳定重启或死机现象，提升了整个电子系统的可靠性。其内部电路采用CMOS工艺制造，不仅保证了良好的抗噪声性能，还显著降低了功耗，静态电流仅为1.0μA，非常适合用于由电池供电的便携式设备，如智能传感器节点、可穿戴设备和远程监控终端等，有助于延长电池使用寿命。
　　另一个关键特性是其集成的复位延迟功能。当电源电压上升并超过设定阈值后，BD4731G-TR并不会立即释放复位信号，而是通过内部定时电路提供约240ms的延迟时间，以确保电源完全稳定后再允许系统开始运行。这一机制有效避免了因电源建立过程中的波动而导致MCU误操作的问题，提高了系统的启动可靠性。该延迟时间由内部RC电路决定，无需外接电容，简化了外围设计，节省了PCB空间和物料成本。
　　该芯片采用开漏输出结构，输出端为N沟道开漏MOSFET，需配合外部上拉电阻使用。这种设计使其能够适应不同的输出逻辑电平（如1.8V、3.3V或5V系统），增强了与其他数字器件的接口兼容性。同时，开漏输出支持多个复位信号合并（“线-或”连接），便于构建多电源域监控系统。SOT-23-5的小型化封装进一步提升了其在紧凑型设备中的适用性，满足现代电子产品轻薄化的发展趋势。整体来看，BD4731G-TR以其高精度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为众多嵌入式系统中不可或缺的基础元件。

BD4731G-TR主要应用于需要电源电压监控和系统复位控制的各种电子设备中。在微控制器单元（MCU）系统中，它被广泛用于上电复位（Power-On Reset, POR）和欠压锁定（Brown-Out Detection, BOD）功能，确保MCU在电源未达到稳定工作电压前保持复位状态，防止程序跑飞或数据损坏。这类应用常见于智能家居设备、工业自动化控制器、电动工具控制板以及各类嵌入式仪表中。
　　在便携式电子产品领域，例如无线传感器网络节点、蓝牙信标、健康监测设备和手持测试仪器，BD4731G-TR凭借其超低静态电流（仅1.0μA）的优势，能够在长时间待机状态下持续监控电源电压，而不会显著影响电池续航能力。一旦电池电压下降至设定阈值以下，芯片将触发复位信号，通知系统进入低功耗模式或保存关键数据后关机，从而保护系统数据完整性。
　　此外，该器件也适用于通信模块、POS机、条码扫描器和小型工控设备中的电源管理子系统。在多电压轨系统中，它可以与其他电压检测器协同工作，构建分级复位逻辑。由于其工作电压范围宽（1.0V~6.0V），BD4731G-TR也可用于锂离子电池、镍氢电池或超级电容供电的系统中，提供可靠的电压监控解决方案。总体而言，凡是需要高可靠性电源监控和自动复位功能的应用场景，BD4731G-TR都是一个理想的选择。

BD4731G-E2