时间：2025/6/29 2:37:31
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BD4722G-TR是罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用场景。
BD4722G-TR广泛应用于电源管理电路、逆变器、DC-DC转换器以及工业设备的驱动电路中。其优异的电气特性和可靠性使其成为高性能功率应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：28nC（典型值）
总功耗：135W
工作结温范围：-55℃至+175℃
BD4722G-TR具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关特性，有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性设计，可确保在高温环境下稳定运行。
4. 高耐受能力，能够在极端条件下保持可靠性能。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
BD4722G-TR适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 工业电机驱动和伺服控制系统。
3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护。
5. 各类电动工具和家电产品中的功率控制电路。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP16N60
AO3400
