时间:2025/12/25 12:14:33
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BD45251G-TR是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的电压检测器集成电路(IC),属于其广泛使用的复位IC产品线。该器件主要用于监控系统电源电压,并在电源电压低于预设阈值时产生复位信号,以确保微控制器单元(MCU)、微处理器(MPU)或其他数字逻辑电路能够可靠地启动或在电源异常时安全复位。BD45251G-TR采用高精度的内部参考电压源和比较器结构,具有出色的电压检测精度和稳定性。该芯片通常用于需要上电复位(Power-On Reset, POR)或低压检测(Low-Voltage Detection, LVD)功能的嵌入式系统中。其封装形式为小型表面贴装SOT-23(或类似的小型封装),适合对空间要求严格的便携式设备和消费类电子产品。BD45251G-TR具有低功耗特性,静态电流极低,因此非常适合电池供电的应用场景。此外,该器件具备良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持准确的检测性能,适用于工业级工作环境。
工作电压范围:1.7V ~ 5.5V
检测电压:2.5V(固定)
检测电压精度:±1.0%(典型值)
输出类型:N沟道开漏输出(N-Channel Open Drain)
复位延迟时间:典型值140ms
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:SOT-23_3
静态电流:约1.0μA(典型值)
输出耐压:最大6V
BD45251G-TR的核心特性之一是其高精度的电压检测能力,其内置的精密基准电压源确保了在各种工作条件下都能实现±1.0%的检测电压精度,这对于需要高度可靠性的系统来说至关重要。该精度保证了即使在电源波动或温度变化的情况下,系统也能在正确的电压阈值下触发复位,避免因误判而导致系统崩溃或数据损坏。该器件的检测电压固定为2.5V,适用于多种标准逻辑电平系统的复位需求,例如3.3V或5V供电的微控制器。其N沟道开漏输出结构允许灵活连接不同电压域的负载,并可通过外部上拉电阻连接到与主电源不同的电压轨,增强了设计兼容性。
另一个显著特点是其超低静态电流消耗,典型值仅为1.0μA,这使得BD45251G-TR成为电池供电设备的理想选择,如便携式医疗设备、智能传感器节点、无线通信模块和可穿戴设备等。低功耗不仅延长了电池寿命,也有助于降低系统整体热耗散,提升系统可靠性。该芯片还集成了内置的复位延迟电路,延迟时间典型值为140ms,无需外接定时电容即可自动产生足够长的复位脉冲,确保MCU有充足的时间完成初始化操作。这一集成化设计简化了外围电路,减少了PCB占用面积和元件数量,提高了系统集成度和生产良率。
BD45251G-TR具备优异的抗噪声能力和温度稳定性,在-40°C至+85°C的工业级温度范围内仍能保持稳定的性能表现,适用于严苛的工作环境。其SOT-23-3小型封装不仅节省空间,而且便于自动化贴片生产,支持高密度PCB布局。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,满足现代电子产品对环保的要求。整体而言,BD45251G-TR以其高精度、低功耗、小尺寸和高可靠性,广泛应用于各类需要稳定复位功能的电子系统中。
BD45251G-TR主要应用于需要上电复位或电压监控功能的电子设备中。典型应用场景包括消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表和其他便携式设备,用于确保主控芯片在电源建立完成后可靠启动。在工业控制系统中,该器件可用于PLC模块、传感器接口电路、数据采集设备等,提供稳定的复位信号以防止程序跑飞或状态紊乱。通信设备如路由器、调制解调器、IoT网关等也常采用此类电压检测IC来保障网络处理器的正常运行。
此外,BD45251G-TR适用于各种嵌入式系统中的微控制器监控电路,特别是在使用3.3V或5V供电的MCU系统中,当电源电压未达到稳定工作水平时,通过输出复位信号阻止MCU执行错误指令。它也可用于电池管理系统(BMS)、医疗监测设备、智能家居控制面板以及汽车电子中的非动力总成模块(如车载信息娱乐系统、车身控制模块等)。由于其低功耗特性,特别适合由纽扣电池或锂电池长期供电的实时时钟(RTC)备份电源监控电路。总之,任何需要确保数字系统在电源建立或跌落时正确复位的场合,都是BD45251G-TR的适用领域。
BD45250G-TR
XC6152A25AGR-G
MAX811TEUS-T
TPS3809L25DBVT