型号：BD433M5FP-CE2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：7.5A @ Ta=25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：30A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：33mΩ @ Vgs=10V, Id=7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：43mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7.5A
　　输入电容（Ciss）：860pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：340pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：100pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：14nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：2.5W @ Ta=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HVSOF-5

BD433M5FP-CE2具备多项先进电气与热力学特性，使其在同类产品中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通损耗，尤其是在大电流条件下，能够有效提升电源系统的整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为33mΩ，在Vgs=4.5V时仍保持在43mΩ以下，表明其在低电压驱动条件下仍具有良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器输出控制或同步整流电路。
　　其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽结构工艺，优化了载流子迁移路径，减小了寄生参数，从而提高了开关速度并降低了开关损耗。其输入电容Ciss为860pF，输出电容Coss为340pF，反向传输电容Crss为100pF，这些较低的电容值有助于减少栅极驱动功耗，并增强高频工作的稳定性，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。
　　再者，BD433M5FP-CE2具有出色的热性能。HVSOF-5封装采用裸露焊盘设计，增强了从芯片到PCB的热传导效率，使器件在高功率运行时能有效散热，延长使用寿命并提高系统可靠性。同时，其最大功耗可达2.5W（在25°C环境温度下），结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端温度环境中依然可靠运行。
　　此外，该MOSFET具备±20V的栅源电压耐受能力，远高于常规的±10V或±12V水平，这大大增强了其对电压瞬变和噪声干扰的抵抗能力，防止因栅极过压导致的器件损坏，特别适合在车载或工业环境中使用。内置的体二极管也经过优化，具有较低的反向恢复时间与反向恢复电荷，减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰风险。
　　最后，该器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车级严苛测试标准，可用于电动助力转向、车载充电器、DC-DC变换器等汽车电子模块。综合来看，BD433M5FP-CE2是一款高性能、高可靠性且易于集成的功率MOSFET解决方案。

BD433M5FP-CE2广泛应用于多种中低功率电源管理系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC转换器，其中其低Rds(on)和快速开关特性可显著提高转换效率，降低发热；在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中，常用于电池充放电控制、负载开关和电源路径管理。
　　此外，该器件适用于LED背光驱动和恒流源电路，作为电流调节开关元件，能够实现精确的亮度控制和高效的能量利用。在工业自动化领域，BD433M5FP-CE2可用于PLC模块中的继电器替代、电机驱动H桥低端开关以及传感器供电控制，因其高可靠性和抗干扰能力而受到青睐。
　　在汽车电子系统中，该MOSFET被用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇驱动、车载信息娱乐系统电源管理等场景。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，即使在发动机舱附近的高温环境中也能稳定运行。
　　其他应用还包括USB电源开关、热插拔控制器、逆变器电路、无线充电发射端功率开关以及各类AC-DC适配器中的次级侧整流或稳压环节。其小型化HVSOF-5封装使得它非常适合空间受限的设计，同时支持自动化贴片生产，有利于大规模制造和成本控制。

DMG3415U,MCH3314,SI2302DS,SZ2302