BD3570HFP-TR 时间：2025/12/25 13:04:21 阅读：18

BD3570HFP-TR是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用设计。该器件采用HFP（High Forward Power）封装技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要紧凑设计和高效能表现的电子系统。其小型化封装有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能，适合表面贴装工艺，广泛用于消费类电子产品、工业控制设备及通信电源模块中。
　　该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，BD3570HFP-TR符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代高可靠性电子产品的制造要求。其稳定的电气特性和出色的耐用性使其成为中低电压功率开关应用中的优选器件之一。

参数

型号：BD3570HFP-TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：120A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：480A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：最大4.3mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.7mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：典型值63nC @ VDS=15V, ID=60A
　　输入电容(Ciss)：典型值10500pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：典型值30ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：HFP

特性

BD3570HFP-TR具备卓越的导通性能和开关特性，其超低导通电阻RDS(on)可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为4.3mΩ，即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持5.7mΩ的优异水平，这使得它能够在宽范围的栅极驱动条件下稳定工作，兼容多种控制器输出逻辑电平。该特性尤其适用于电池供电设备或对能效要求严苛的应用场景，例如笔记本电脑适配器、电动工具电源管理单元以及服务器VRM模块。
　　器件采用了先进的沟槽式场板（Trench Field-Plate）结构，有效优化了电场分布，提高了击穿电压稳定性，并降低了寄生参数的影响。这种结构还增强了器件的抗雪崩能力和长期运行可靠性。同时，较低的栅极电荷Qg（典型63nC）意味着更少的驱动功耗和更快的开关速度，有助于实现高频开关操作，从而减小外围滤波元件的尺寸与成本。
　　HFP封装不仅提供了优良的散热路径，还能承受大电流冲击，确保在瞬态负载或短路情况下仍能维持安全运行。封装本身具有较高的机械强度和耐热循环性能，适用于自动化回流焊工艺。此外，器件内部未使用卤素材料，符合环保规范，满足现代绿色制造的需求。整体而言，BD3570HFP-TR是一款集高性能、高可靠性和环境友好于一体的先进功率MOSFET解决方案。

应用

BD3570HFP-TR广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在多相供电架构中作为上下管使用，以支持CPU、GPU等高性能处理器的低压大电流供电需求。其高电流承载能力和低导通损耗也使其适用于电池管理系统（BMS）、电动自行车电机驱动电路以及便携式储能设备中的功率开关单元。
　　在工业领域，该器件可用于PLC电源模块、伺服驱动器和UPS不间断电源系统中，提供快速响应和稳定的能量传输。此外，在LED照明驱动电源、LCD背光逆变器以及电信基站电源模块中，BD3570HFP-TR也能发挥其高频开关优势，提升系统效率并减少发热问题。
　　由于其紧凑的HFP封装和优异的热性能，该MOSFET特别适合空间受限但功率密度要求高的应用场景，例如超薄电视电源板、移动电源主板和嵌入式工控主板等。总之，凡是在30V以内需要大电流、低损耗开关功能的设计中，BD3570HFP-TR都是一个极具竞争力的选择。